咱们先来看一个比较古老的工艺下(110nm),pnp的参数: 根据作者君的经验,nf(上面公式里面的eta?是这样念的吗?η)是个蛮需要重点考虑的参数。那个,为啥呢? 比如上面这个ideal model,有几个值需要我们去挑选: 1.Biasing current: ib应该是多大? 2.BJT'sMultiplicity factor(m): 就是说,如果只有这种standard pnp...
基于双极型晶体管和标准SPICE器件提出了一种可控硅整流器 (SCR) 的集约模型。 为解决晶体管模型中弱击穿模型难以仿真过压击穿的问题, 在双极型晶体管基础上增加了基于电阻二极管组合的P-N结击穿模型, 实现了在无瞬态效应下SCR负阻特性的模拟; 考虑到寄生双极型晶体管集电极电流对SCR内部电阻的影响, 建立了阻值依赖S...
四级模型BSIM,适用于短沟道(<3um)的分析,Berkley在1987年提出 四、结型场效应晶体管JFET模型:基于Shichman-Hodges模型 4.1 N沟道JFET静态模型: 4.2 JFET大信号模型: 4.3 JFET模型参数表: 五、 GaAs MESFET模型:分两级模型(肖特基结作栅极) GaAs MESFET模型参数表: 六、 数字器件模型: 6.1 标准门的模型语句:...