以MOS驱动的PNP晶体管(BJT)模型则可以对这个问题进行修正,更准确地分析IGBT工作机理。 如图所示,回顾前面章节中关于PNP和MOS结构的讨论,想象将IGBT切分成MOS和PNP晶体管,那么MOS的源极与PNP的集电极相连接,MOS的漏极与PNP的基极相连。 与独立的MOS和PNP结构不同之处在于,MOS的漏极与PNP的基极没有独立的外接电极...
图3、仿真原理图:使用Gummel Poon器件模型生成双极晶体管直流IV曲线的ADS仿真原理图 图4、ADS中的BJT_Model 模型 BJT_Model提供BJT器件的值(BJT4器件包括基极端子),该模型根据Gummel和Poon的积分电荷控制模型改编而成,它在高偏置电平下具有多种影响。如果未指定Gummel-Poon所需的某些参数,它将简化为更简单的Ebers-M...
,相应的BJT增益从约0.15增大至超过0.7,电阻也减小了近10倍。所以,对于MOS器件来说,IGBT饱和电流随 的变化要比MOS器件更明显。 需要注意的是,随着 电压的增加,MOS沟道两端所承受的电压也会增加,回顾“IGBT中的MOS结构”一章,这会导致沟道缩短,这也会进一步地导致饱和电流值增大。
《SiC BJT功率器件复合电流瞬态输运模型及新结构的研究》是依托电子科技大学,由张有润担任醒目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 针对宽禁带半导体SiC BJT电力电子器件的界面陷阱严重退化电学特性的挑战,本项目依托先进的SiC工艺平台,开展新型结构的高功率SiC BJT器件的基础理论和实验研究。面向高速开关状态的应用环境...