GTR 是三极管的一种，Giant Transistor，巨型晶体管由于可工作在高电压、高电流下，也称电力晶体管。BJT 也是三极管的一种，Bipolar Junction Transistor，双极型面接触晶体管。
1、1 电力电子技术电力电子技术 Power Electronics第八章第八章 功率晶体管和二极管功率晶体管和二极管2功率晶体管分类功率晶体管分类n双极性功率晶体管:电流控制型器件BJT: bipolar junction transistorGTR: Giant Transistorn场控晶体管:电压型控制器件MOSFET:场效应功率晶体管 IGBT:绝缘栅双极性功率晶体管 IGCT:集成...
电力双极结型晶体管(Power-BJT),简称电力晶体管,也叫巨型晶体管(GTR)。曾在中、小功率范围内取代晶闸管,后被IGBT和电力MOSFET取代。BJT的英文全称是 ;GTR的英文全称是 。相关知识点: 试题来源: 解析 Bipolar Junction Transistor;Giant Transistor 反馈 收藏 ...
三极管BJT(或GTR),晶闸管SCR,MOSFET管、IGBT管,抗电流冲击能力最强和最弱的是分别是哪种?最耐压的是哪种?BJT管与晶闸管SCR,试分别说在开关时间、控制可靠性等方面,谁占优势?相关知识点: 试题来源: 解析 要点(SCR管在电流冲击能力和耐压能力最强。MOSFET管抗电流冲击能力最弱。BJT管相对于晶闸管SCR在开关时间、...
BJT: bipolar junction transistor GTR: Giant Transistor 场控晶体管:电压型控制器件 MOSFET:场效应功率晶体管 IGBT:绝缘栅双极性功率晶体管 IGCT:集成门极换向晶闸管第二节 功率晶体管*第二节 功率晶体管80年代以来,在中、小功率范围内取代晶闸管 但目前又大多被IGBT和功率MOSFET取代功率晶体管(GTR---巨型晶体管...
分别画出三极管BJT(或GTR),可关断晶闸管GTO,MOSFET管和IGBT管电路符号。晶闸管SCR,MOSFET管和IGBT管当中,哪些是电压型驱动和电流型驱动器件?电压型和电流型驱动器件功耗大的是哪一种?试把IGBT、SCR、MOSFE和 BJT开关管按开关频率响应从高到低正确排列。 (共10分) 相关知识点: 试题来源: 解析 要点: 1)电路符...
属于半控型的器件有哪些?属于不可控型的器件有哪些?(10分) 相关知识点: 试题来源: 解析 要点:1)有有拖尾现象意味着关断时间延迟。 2)有电流拖尾现象的器件:GTR(BJT)和IGBT。 3)全控型器件:GTR(BJT)、MOSFET和IGBT。 4)半控型器件:SCR 5)不可控器件:电力二极管SR 反馈 收藏 ...
三极管BJT(或GTR),晶闸管SCR,MOSFET管、IGBT管,功率损耗最大和最小分别是哪种?并简要说明原因。相关知识点: 试题来源: 解析 要点(功率损耗最大的是晶闸管SCR,是其通态电阻较大所致。功率损耗最小的是MOSFET管,因为其开关时间最短,所以MOSFET管在高频区间的功耗反而最小) ...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),全称为绝缘栅双极晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,成为近年来电力...
三极管BJT(或GTR),晶闸管SCR,MOSFET管、IGBT管,功率损耗最大和最小分别是哪种?并简要说明原因。相关知识点: 试题来源: 解析 答案要点(功率损耗最大的是晶闸管SCR,是其通态电阻较大所致。功率损耗最小的是MOSFET管,因为其开关时间最短,所以MOSFET管在高频区间的功耗反而最小) ...