网络后道工序;后段制程;低介电常数材料在后端工序 网络释义
[3]这部分工艺流程是为了在Si衬底上实现N型和P型场效应晶体管,又被称为前道(front end of line,FEOL)工艺。与之相对应的是后道(backend of line,BEOL)工艺,后道实际上就是建立若干层的导电金属线,不同层金属线之间由柱状金属相连。目前大多选用Cu作为导电金属,因此后道又被称为Cu互联(interconnect)。这些...
随着半导体技术的发展,超大规模集成电路芯片的集成度已经高达几亿乃至几十亿个器件的规模,两层以上的多层金属互连技术广泛使用。传统的金属互连是由铝金属制成的,但随着集成电路芯片中器件特征尺寸的不断减小,金属互连线中的电流密度不断增大,要求的响应时间不断减小,传统铝互连线已经不能满足要求,工艺尺寸小于130nm以...
从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中(Back-End-Of-Line,BEOL)采用铜(Cu)互连和低介电常数(low-k)材料的必要性。相关知识点: 试题来源: 解析 寄生电阻和寄生电容造成的延迟。电子在导电过程中会撞击导体中的离子,将动量转移给离子从而推动离子发生缓慢移动。该现象称为电迁移。在导电过程中,电迁移不...
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located towards the back or on the end of a line in a group photo, the camera can still take an in-focus picture of that person. us.leica-camera.com 在集體 照片中,即使人物在後面或隊伍 的末尾,相機仍可以將該人物拍攝得很清晰。 en.leica-camera.com [...] result of the rigorous im...
This paper reports the characterization of poly-silicon-germanium disk resonators at frequencies ranging from 35 to 425MHz. The back-end-of-line process technology is based on Spacer definition of sub-100nm lateral gaps, and uses Aluminum as interconnect material for compatibility with advanced CMOS...
Theback end of line (BEOL)is the final state semiconductor processing that concerns the interconnects that reside in the top part of a chip. In today's advanced IC's, that consists of up to fifteen layers of complex wiring. As device scaling continues to 3 nm and beyond, the interconnects...