然而,g-C3N4的光催化性能仍需进一步提高,尤其是其光生电子-空穴的分离效率和可见光利用率。为此,本文研究了B掺杂g-C3N4纳米片的光解水析氢性能,并对其进行了改性研究。 二、B掺杂g-C3N4纳米片的制备与表征 B掺杂g-C3N4纳米片的制备采用化学气相沉积法。首先,将含有B元素的原料与三聚氰胺混合均匀,然后在高温下...
摘要 一种具有铁磁性B掺杂g‑C3N4二维超薄纳米片的制备方法,通过在氩气环境中高温降解三聚氰胺和氧化硼前驱物,而后进行化学剥离的方法得到了具有室温铁磁性的二维超薄B掺杂g‑C3N4纳米片,在自旋电子学方面非常有前景的材料。本发明的优点:通过高温降解前驱物的方法得到B掺杂的g‑C3N4二维超薄纳米片,B掺杂后不产生...
研究发现B掺杂g-C3N4是一种p型光催化剂,其光催化能力优于g-C3N4。因此本文设计了B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构,并与g-C3N4/SnS2异质结构相比,探索了CO2还原的光催化性能。 【成果简介】 近日,中国东北师范大学的颜力楷(通讯)作者等人,通过密度泛函理论(DFT)计算功函数和电荷密度,证明g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/S...
g-c3n4的过渡金属掺杂是一种有效的改性方法,可以显著提高其光催化性能.过渡金属如fe,ni,cu,zn等被掺杂到g-c3n4的结构单元中,可以成为光生电子-空穴对的浅势捕获陷阱,从而延长电子与空穴的复合时间.这种掺杂方式有助于改善g-c3n4的光催化性...
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文章要点2:研究发现,P掺杂可以在g-C3N4的带隙中引入中间带隙态,从而拓宽了g-C3N4的光响应范围,提高了g-C3N4的电导率。此外,P掺杂g-C3N4和MoP界面上的Mo-N键可作为电子“传输通道”,从而促进电荷从P掺杂g-C3N4转移至MoP,同时肖特基势垒促进光生载流子的分离。 文章要点3:测试表明,所优化的P掺杂g-C3N4/MoP光...
研究团队合成了一种新颖的P掺杂MoS2/g-C3N4层状结构复合材料,它可以暴露更多的活性位点,并通过形成Mo-N键产生强相互作用用于光催化杀菌。通过实验和理论证实,P掺杂的MoS2/g-C3N4异质结构不仅产生双层内建电场来驱动电荷的转移,还有利于分离氧化还原位点进...
一种硫掺杂的g‑C3N4/TiO2异质结光催化剂及其制备方法与应用专利信息由爱企查专利频道提供,一种硫掺杂的g‑C3N4/TiO2异质结光催化剂及其制备方法与应用说明:本发明涉及一种硫掺杂的g‑C3N4/TiO2异质结光催化剂及其制备方法与应用,该催化剂的化学组...专利查询请
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