AZ P4620 光刻胶 型号AZ P4620 AZ P4620 正性光刻胶特点超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。 AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率;高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进;广泛应用于全球半导体行业。
3、AZ P4620正性光刻胶参考工艺条件: 前烘:100℃ 90秒以上 (DHP) 曝光:G线步进式曝光机/接触式曝光系统 显影:AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒 清洗:去离子水 后烘:120℃ 60秒以上 剥离:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化 产品型号:
AZ P4620 AZ4562-AZ正性光刻胶供应商: 武汉市洪山区莱博兹科学仪器经营部 联系人: 邓经理 地址: 湖北武汉市详细信息AZ P4620 正性光刻胶超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。特征:1)高对比度,高感光度 2)高附着性,对电镀工艺高耐受性...
AZ P4620 Photoresist数据包说明书
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待分类 > 待分类 > az_p4620_photoresist 打印 转格式 412阅读文档大小:178.5K7页rain上传于2009-04-24格式:PDF Microlenses array made with AZ4562 photoresist for… 热度: ST星图3(P68-P95) 热度: 最全客户服务技巧95P 热度: az_p4620_photoresist,az_p4620 光刻胶,...
产品型号美国安智 正品现货 AZ-P4620 AZ-1500 光刻胶 型号齐全 稳定货源 货源所属商家已经过真实性核验 商品数量1 所属系列安智AZ光刻胶 关键词光刻胶 感光油墨 安 数量-+ 产品信息 联系方式 深圳市启耀光电有限公司是一家服务于半导体和光电子行业的产品贸易及技术服务提供商。公司创立于2014年 已成为国内半导...
AZ ® P4000Series Backtotoppage OptitracCoat/Bake Coat:StaticdispenseonSilicon TargetFilmThickness:15µm Softbake:110°Chotplate/180sec.HP Exposure:PLA-501FghilineAligner Develop:AZ400K(1:4)Dipfor300sec.(23deg.)@23°C Platingliquid:MICROFABCu200(EEJA) ...
中文名称:AZ P4620 Photoresist 正性光刻胶 英文名称:AZ P4620 Photoresist 包装信息:1EA 库存量: 1L 现货日期: 2025/4/14 10:00:37 正性光刻胶 AZ P4620 PHOTORESIST 基本信息 中文名称正性光刻胶 AZ P4620 PHOTORESIST 中文同义词AZ P4620 PHOTORESIST 正性光刻胶;正性光刻胶 AZ P4620 PHOTORESIST ...
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