AZ P4620 光刻胶 型号AZ P4620 AZ P4620 正性光刻胶特点超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。 AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率;高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进;广泛应用于全球半导体行业。
3、AZ P4620正性光刻胶参考工艺条件: 前烘:100℃ 90秒以上 (DHP) 曝光:G线步进式曝光机/接触式曝光系统 显影:AZ300MIF显影液23℃ 60~300秒 清洗:去离子水 后烘:120℃ 60秒以上 剥离:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化 产品型号:
az_p4620_photoresist 打印 转格式 408阅读文档大小:178.5K7页rain上传于2009-04-24格式:PDF 欢迎来到95后的世界--95后专题研究第一期 95后生活形态报告-0527 热度: 95后群体画像研究报告(2017):95后的Free Style 热度: 欢迎来到95后的世界--95后专题研究第一期《95后生活形态调研报告》 ...
AZ P4620 Photoresist数据包说明书
AZ P4620 AZ4562-AZ正性光刻胶供应商: 武汉市洪山区莱博兹科学仪器经营部 联系人: 邓经理 地址: 湖北武汉市详细信息AZ P4620 正性光刻胶超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。特征:1)高对比度,高感光度 2)高附着性,对电镀工艺高耐受性...
AZ ® P4000Series Backtotoppage OptitracCoat/Bake Coat:StaticdispenseonSilicon TargetFilmThickness:15µm Softbake:110°Chotplate/180sec.HP Exposure:PLA-501FghilineAligner Develop:AZ400K(1:4)Dipfor300sec.(23deg.)@23°C Platingliquid:MICROFABCu200(EEJA) ...
物質安全資料表一、 製造商或供應商資料 物品名稱 : AZ P4620 物品編號 : 製造商或供應商名稱: 供應商 - 台灣科萊恩股份有限公司 製造商 – Clariant (Japan) K.K. Technical & Production Dept. 製造商或供應商地址: 供應商 -台北市建國北路一段 96 號 5 樓 工廠 - 3810 Chihama Daito-cho, Ogasa-...
AZ P4620 Photoresist
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