AZ P4620 光刻胶 型号AZ P4620 AZ P4620 正性光刻胶特点超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。 AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率;高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进;广泛应用于全球半导体行业。
AZ P4620 正性光刻胶超厚膜,高对比度,高感光度正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。特征:1)高对比度,高感光度 2)高附着性,对电镀工艺高耐受性 3)多种粘度可供选择 参考工艺条件前烘:100℃ 60秒 (DHP)曝光:G线步进式曝光机/接触式曝光机显影:AZ300MIF (2.38%) 23℃ 60秒清洗:去离子水30秒...
AZ P4620光刻胶膜厚范围约 6-20 µm。AZP4620超厚膜,高对比度,高感光度G线标准正型光刻胶,适用于半导体制造及GMR磁头制造。 1、AZ ® P4000正性光刻胶系列有一下主要特点: ·改善了对所有常见基材的附着力,从而具有更高的稳定性,如湿法蚀刻或电镀 ·较低的光敏化合物浓度,可以涂覆较厚的抗蚀剂膜(...
AZ P4620 Photoresist数据包说明书
AZ4620的详细配方? 1-Methoxy-2-propanol acetate是什么? 1-Methoxy-2-propanol acetate(PEMEA,1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯),中文名为丙二醇甲醚醋酸酯,化学式为C6H12O3,是一种常见有机溶剂,它有良好的溶解能力,挥发速率适中。PEMEA含有酯基(-COO-)和醚基(-O-),这两个官能团使它具有良好的溶解能力和适中的挥发性...
待分类 > 待分类 > az_p4620_photoresist 打印 转格式 408阅读文档大小:178.5K7页rain上传于2009-04-24格式:PDF 欢迎来到95后的世界--95后专题研究第一期 95后生活形态报告-0527 热度: 95后群体画像研究报告(2017):95后的Free Style 热度: 欢迎来到95后的世界--95后专题研究第一期《95后生活形态调研报告》...
正性光刻胶 AZ P4620 PHOTORESIST上下游产品信息 上游原料 下游产品 正性光刻胶 AZ P4620 PHOTORESIST生产厂家 全球有 1家供应商正性光刻胶 AZ P4620 PHOTORESIST国内生产厂家 供应商联系电话电子邮件国家产品数优势度 苏州诺行贸易有限公司0512-65816829 18662214788info@rovathin.com.cn中国972658...
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AZ P4620 Photoresist
AZ P4620 AZ P4620 Lithography performance Lithography performance Film Thickness: 24 µm Optitrac coat and Bake SB: 1 st layer 110°C/ 80 sec 2 nd layer 115°C/180 sec Ultratech 1500 gh line Stepper AZ 400K 1:4 260 sec continuous spray @ 27 °C ...