重点研究了键合金属层的厚度、键合温度和作为键合区域的密封圈的结构对键合样品性能的影响,同时借助3D超景深测量显微镜对Au-Al共晶键合样品界面的微观结构进行了分析。结果表明:当键合温度为300℃,Au层厚度为600 nm,Al层厚度为200 nm,采用宽度为50μm的密封圈,此时键合样品的综合性能最好,力学性能达到最佳。 【总...
研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5mm×4.5mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。
目前,MEMS圆片级气密性封装常采用硅/玻璃静电键合、硅/硅直接键合、金属热压键合以及金属焊料键合4种键合方式实现。静电键合工艺简单,容易实现硅和玻璃之间的高强度键合,但是键合所需电压(约1000V)较高,高电压会限制这种键合技术的应用,对某些MEMS器件的性能产生影响,也不适于在CMOS集成传感器中应用;硅/硅直接键合通常...
共晶键合一般需要温度较低，目前常用的有AuSn、AlGe.Au-Ge、Au-n和CuSn共晶键合，共晶键合存在一些缺点，如，衬底和中间层有不同的温度系数，导致键合应力较大，会降低键合强度，需要附加的工艺过程来防止表面氧化"，每一种键合工艺都有各自的优缺点，选择哪一种键合技术取决于应用领域及其要求.金-金热压键合所需温...
通过光谱可以确定界面共晶体的化学成分 判 断化合物组分构成形式 分析结果如图 和表 所示 表中 为质量分数 为原子数分数 从分 析结果可以得到 和 的原子数分数之比为 胥 超等 共晶键合技术在 封装中的应用 通过原子数分数之比可以认为 共晶界 面主要由 相与相 构成 符合 共晶点化合物组分构成 00 51 01 52...
摘要:介绍了Au-In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工艺设计,对铟凸点制备技术进行了研究,最终在硅圆片上制备了6μm高的铟凸点阵列。在150—300℃下成功地进行了Au-In倒装键合实验。在300℃,0.3MPa压力下键合的剪切强度达到了5MPa. ...
Au / Sn 共晶键合技术在 MEMS 封装中的应用 胥超 1 ,徐永青 1 ,杨拥军 1 ,杨志 2 ( 1.中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 ; 2.专用集成电路重点实验室,石家庄050051 ) 摘要:研究了Au / Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材 料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti...
1、了解Au-Si共晶技术的原理、特点和制备过程。 2、制备Au-Si键合膜,评估其键合质量,并探究影响Au-Si键合质量的因素。 3、设计和制备翘板式RF MEMS开关,以Au-Si键合技术实现晶片之间的连接。 4、对所制备的开关进行性能测试,分析其电性能表现。 四、研究意义 本课题研究中,对Au-Si共晶键合技术在RF MEMS器件制...
2009篮 增刊 仪表技术与传感器 Inst rument Techni que and Sensor 2009 suppl ement 一种基于Au- In共晶的低温键合技术 陈明园,秦明,李俊武 ( 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏南京210096) 摘要:介绍了Au.In键合在MEMS芯片封装中的应用。根据现有的工艺设备和实验条件对制备铟凸点阵列进行了工 艺设计,对锢凸点...
Au-Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用.pdf,加工、 测量与设备 与 显微、测量、微细加工技术 设备 Processing , Measurement and Equipment Microscope ,Measurement ,Microfabrication Equipment A/ 共晶键合技术在 封装中的应用 uSnMEMS1112胥超