一种用于APCVD的履带轨道工艺气孔的刻蚀工具,包括刻蚀腔体和腔体盖板组件,刻蚀腔体由侧板首尾相接围成,上下两端开口,刻蚀腔体的下部开设有安装密封圈的密封圈沟槽,刻蚀腔体上部安装有围绕刻蚀腔体上开口的边板,边板和侧板相接处构成用以安装所述腔体盖板组件的台阶结构,所述的腔体盖板组件包括盖板、波纹管和排风接头,...
背封技术一般是用化学气相淀积方法在硅片背面生长一层SiO2膜，以消除杂质对外延工艺的不利影响,常用的有两种SiC）2淀积方式，LPCVD（低压化学气相淀积）和APCVD（常压化学气相淀积）。本文对APCVD法淀积Si。?膜的淀积速率及均匀性方面进行有益探索，在此基础上总结一组较好的淀积工艺釧牛，并对影响SiO2膜表面质量进行...
因此,APC`0工艺的主要缺点就是有气相反应形成的颗粒物。 APCVD工艺温度一般控制在气相质量输运限制区,薄膜淀积速率对衬底表面反应剂浓度敏感,对衬底温度控制要求不是很严格,这与冷壁式反应器衬底温度远高于气流温度,气流的变化会引起衬底温度略有起伏相适合。所以,工艺过程中精确控制反应剂成分、计量和气相质量输运过程,...
用于功率半导体器件的相对厚的硅膜的外延沉积通常通过大气压化学气相沉积(APCVD)在流动主导的沉积方式中进行,这是由于高沉积速率和优异的晶体质量。将这些胶片叠放在一起意味着巨大的挑战。这些挑战是:抑制滑移线、防止杂质、颗粒和缺陷、低表面粗糙度和避免表面雾度。此外,需要高掺杂和厚度均匀性。在高温工艺过程中,晶...
反应速度限制淀积速率: 淀积速率受反应速度限制, 这是由于反应温度或压 力过低(传输速率快 ),提供驱动反应的能量不足, 反应速率低于反应物传输速度。 LPCVD 属于:反应速度限制淀积速率; APCVD 属于:质量传输限制淀积速率。反馈 收藏
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:衬底对氮化钛薄膜APCVD生长的影响 编号:JFKJ-21-694 作者:炬丰科技 摘要 通过大气化学气相沉积在560°C到四氯化钛和氨的660°C温度范围内,并在成核和生长、晶体取向和杂质…
CVD（LPCVD\APCVD\PECVD）工艺原理及图解，简单明了。
CVD（LPCVD\APCVD\PECVD）工艺原理及图解，简单明了。
APCVD, LPCVD的工艺特点是:LPCVD工艺温度一般控制在表面反应限制区,对反应剂浓度的均匀性要求不是非常严格,对温度要求严格。因此多采用热壁式反应器,衬底垂直放置,装载量大,更适合大批量生产,气体用量少,功耗低,降低了生产成本。颗粒污染现象也好于APCVD。()A.正确B.错
APCVD工艺介绍。 APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition),即常压化学气相沉积。顾名思义,与其他常见的气相沉积方法相比,APCVD的主要特点是在常压条件下进行,无需使用高真空设备。APCVD会在晶圆或其他类型的基板上沉积一层通常为几微米厚的材料。