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型号 AP100N03D 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
AP100N03D 30V N沟道增强型MOSFET ■产品描述: AP100N03D采用先进的沟槽技术以提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至4.5V的操作。该设备适合用作电池保护或在其他交换应用中。 ■一般特性: VDS=30V ID=100A RDS(ON)<4.2mΩ@VGS=10V(类型:3.1mΩ) ■产品应用: 蓄电池保护、负载开关、不间断电源 ...
爱企查为您提供深圳市中广芯源科技有限公司AP100N03D 封装C2M0040065D 碳化硅MOS AP60N03Y 二极管C4D20120H等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多电源芯片、肖特基二极管、运算放大器芯片、中低压MO
AP100N03D 100A 30V TO-252场效应管规格书.pdf,AP100N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP100N03D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This devi
Max. 0.630 0.634 0.069 0.073 0.295 0.299 0.059 0.063 0.059 0.063 0.157 0.161 0.315 0.319 0.079 0.083 0.271 0.276 0.413 0.417 0.109 0.113 0.011 1.575 1.583 AP100N03D Rve3.8 臺灣永源微電子科技有限公司 AP100N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Attention 1,Any and all APM Microelectronics ...
AP100N03D 商品编号 C3011286 商品封装 TO-252-2 包装方式 编带 商品毛重 0.48克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6mΩ@10V,30A ...
AP100N03D30VN-ChannelEnhancementModeMOSFETAP100N03DRve3.8 臺灣永源微電子科技有限公司1DescriptionTheAP100N03DusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.GeneralFeaturesVDS=30VID...
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