型号 AP120N03D 封装/规格 TO252-3L 类型 N沟道 工作温度 -20-140°c 包装 卷 最小包装量 5000 品牌 永源微 型号AP120N03D,封装TO252-3L,类型N 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与...
AP120N08MPRVE1.0永源微電子科技有限公司 AP120N08MP 80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET ElectricalCharacteristics(T=25℃,unlessotherwisenoted) J SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit V(BR)DSSDrain-sourcebreakdownvoltageV=0V,I=250uA8092V GSD VGS(th)GatethresholdvoltageV=V,I=250uAT=25°C2.03.04.0V ...
起订数 100个起批 1000个起批 3000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 AP120N04P、 APM/永源微、 TO-220-3L 商品图片 商品参数 品牌: APM/永源微 封装: TO-220-3L 批号: 24+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最...
商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 AP120N04P/T、 APM、 TO-220/263-3L 商品图片 商品参数 品牌: APM 封装: TO-220/263-3L 批号: 20+ 数量: 50000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -40C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 1V ...
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MOS管AP120N03D的详细设置方法其实涉及到多个方面,包括极性判定、导通条件、参数理解等。简单来说: 极性判定:要确认栅极(G)、源极(S)和漏极(D)的极性。栅极一般是中间抽头,源极是两条线相交的地方。 导通条件:对于N沟道MOS管,栅极电压要高于源极电压才能导通;对于P沟道,则是栅极电压低于源极电压。同时,要注意...
AP120N04K由ALLPOWER(铨力)设计生产,立创商城现货销售。AP120N04K价格参考￥1.5。ALLPOWER(铨力) AP120N04K参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;耗散功率(Pd):108W;栅极电荷量(Qg):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.128nF@20V;反
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起订数 10个起批 100个起批 5000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 AP120N04P、 APM/永源微、 TO-220-3L 商品图片 商品参数 品牌: APM/永源微 封装: TO-220-3L 批号: 22+ 数量: 68800 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小...
永源微MOS管AP120N03D;耐压30V,电流110A,封装TO-252-3L; RDS(ON) < 3.5mΩ @ VGS=10V RDS(ON) < 5mΩ @ VGS=4.5V 永源微MOS管系列型号,详细资料请咨询, 电话微信19928739245,QQ544144586 AP2310MI AP2314MI AP2222D-L AP2334CI AP2300BI AP2302CI AP2302BI AP3400DI AP2300MI AP2302AI AP...