型号 AP120N03D 封装/规格 TO252-3L 类型 N沟道 工作温度 -20-140°c 包装 卷 最小包装量 5000 品牌 永源微 型号AP120N03D,封装TO252-3L,类型N 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与...
AP120N08MPRVE1.0永源微電子科技有限公司 AP120N08MP 80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET ElectricalCharacteristics(T=25℃,unlessotherwisenoted) J SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit V(BR)DSSDrain-sourcebreakdownvoltageV=0V,I=250uA8092V GSD VGS(th)GatethresholdvoltageV=V,I=250uAT=25°C2.03.04.0V ...
AP120N04F采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON),低栅极电荷和栅极电压低至10V。这该装置适合作为电池保护装置使用或其它开关应用。一般特征V ds = 40v I d = 120aR DS(ON) < 4.3mΩ @ V GS =10V(类型:3.5mΩ)应用程序电池保护负荷开关不间断电源 锂电池开关电源 声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者...
起订数 100个起批 1000个起批 3000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 AP120N04P、 APM/永源微、 TO-220-3L 商品图片 商品参数 品牌: APM/永源微 封装: TO-220-3L 批号: 24+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最...
MOS管AP120N03D的详细设置方法其实涉及到多个方面,包括极性判定、导通条件、参数理解等。简单来说: 极性判定:要确认栅极(G)、源极(S)和漏极(D)的极性。栅极一般是中间抽头,源极是两条线相交的地方。 导通条件:对于N沟道MOS管,栅极电压要高于源极电压才能导通;对于P沟道,则是栅极电压低于源极电压。同时,要注意...
APM永源微代理商AP120N09P AP120N09T AP140N09P AP140N09T 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文...
AP120N04K由ALLPOWER(铨力)设计生产,立创商城现货销售。AP120N04K价格参考￥1.5。ALLPOWER(铨力) AP120N04K参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;耗散功率(Pd):108W;栅极电荷量(Qg):65nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.128nF@20V;反
AP120N08NF由APM(永源微电子)设计生产,立创商城现货销售。AP120N08NF价格参考￥2.34。APM(永源微电子) AP120N08NF参数名称:漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):120A;导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ@10V,20A;耗散功率(Pd):122.5W;阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA;栅极电
爱企查为您提供技术支持 AP120N04P 可控硅芯片 BTB24 24A 800V TO-220 中广芯源,深圳市中广芯源科技有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。可控硅芯片;可控硅芯片批发;可控硅芯片行情报价;可控硅芯片价格;可控硅芯片底价;可控硅芯片图片;可控硅芯片厂家;可控
AP120N04NF采用先进的APM-SGT II技术,提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作 该器件适用于用作电池保护或在其他开关应用中使用 特征: VDS = 40V ID =120A RDS(ON) < 2.3mΩ @ VGS=10V (Type:1.8mΩ) 应用: 升压驱动器