AP120N06D采用先进的APM-SGT II技术,提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和低至10V的栅极电压操作 此设备适用于用作电池保护或其他开关应用 特征: VDS = 65V ID =120A RDS(ON) < 5.3mΩ @ VGS=10V (Type:4.0mΩ) 应用: 电池保护 UPS 详情请咨询我司业务15986786916...
型号 APG110N06D APG110N06NF AP120N06D AP120N06NF 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。
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AP120N06T 电子元器件 APM/永源 封装TO-263-3L 批次23+ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形...
AP120N06D采用先进的APM-SGT II技术,提供卓越的RDS(ON)、低栅极电荷和低至10V的栅极电压操作 此设备适用于用作电池保护或其他开关应用 特征: VDS = 65V ID =120A RDS(ON) < 5.3mΩ @ VGS=10V (Type:4.0mΩ) 应用: 电池保护 UPS 详情请咨询我司业务15986786916...
AP30N06Y TO251-3L 30A 60V N沟道MOSFET 中广芯源 AP80N06D 增强MOS管 ¥ 0.20 MBR3060 低VF0.74v 平面肖特基 整流二极管 60N06 低内阻12.5毫欧 ¥ 0.20 中广芯源 原厂现货 SBT40L150FCT 整流二极管 MBR20100 ¥ 0.20 中广芯源 AP12N65F TO-220F-3L封装 650V 12A N沟道 场效应...