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AO3401为增强型P沟道MOS场效应管。 2、封装形式 常见的封装形式有SOT-23等,这种小型封装使其在电路板上占用空间较小,有利于电路的小型化设计。 二、电气参数 1、漏源极击穿电压(V(BR)DSS) AO3401的漏源极击穿电压通常为-30V,这意味着在正常工作条件下,漏源极之间能够承受的最大电压为-30V,超过这个电压可能会...
一、MOSFET(AO3401) 基本特性 类型:P沟道增强型MOSFET。 电压与电流:最大漏极源极电压VDS为-30V,在栅源极电压VGS=-10V时,最大漏极电流ID为-4.0A。 导通电阻:在VGS=-10V时,RDS(ON)小于50mΩ,具有较低的导通电阻,有助于减少功率损耗。 开关速度:AO3401具有较快的开关速度,适合用于高频开关电源和快速开关电路...
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ao3401 场效应管参数 AO3401是一种N沟道场效应管(MOSFET),常用于低压、低功耗的电路中。它的参数包括最大漏极-源极电压(VDS)、最大栅极-源极电压(VGS)、漏极电流(ID)、栅极-源极阈值电压(VGS(th))、漏极-源极电阻(RDS(on))等。 1. 最大漏极-源极电压(VDS),AO3401的VDS一般在20V左右,这意味着在...