AO3401是P极性MOS管,AO3401主要参数为:Vgs(Max):±12V、漏源击穿电(BVdss):-30V、功率耗散(70°C):0.9W、功率耗散(25°C):1.4W、漏极电流 (Idm):-27A、不同 Id 时 Vgs(th)(Max):1.3V @ 250µA、工作温度: -55°C ~ 150°C、封装:SOT-23、引脚数3。AO3401是切换应用程序的P极性MOS管。 AO34...
一、AO3401A中文关键参数 阈值电压Vgs(th) ： 1.3V@250µA漏极电流Idss ： 4A晶体管类型 ： P沟道功率耗散 ： 1.4W充电电量 ： 14nC反向传输电容Crss ： 55pF栅极源极击穿电压 ： ±12V漏源击穿电压BVDSS ： 30V极性 ： P-沟道元件生命周期 ： Active存储温度 ： -55℃~+150℃引脚数 ： 3Pin高度 ...
AO3401 CJ/长晶 ￥0.04 AO3401中文资料规格参数 AO3401概述 AO3401是逻辑电平门。AO3401采用先进的沟槽技术,提供出色的罗斯顿(Roston)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压工作。该器件适合用作负载开关或脉宽调制应用。标准产品AO3401是无铅的(符合ROHS和索尼259规格)。AO3401L是绿色产品订购选项。AO3401和AO3401L在电气上是...
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ao3401参数,KIA3401场效应管 ao3401场效应管代换型号KIA3401场效应管漏源电压:-30V,漏极电流:-4A,栅源电压:±12V,脉冲漏极电流:-25A;3401采用先进的沟槽技术,低导通电阻RDS(ON)60mΩ,低栅极电荷工作电压低至2.5V,最大限度地减少导电损耗;产品无铅绿色环保,具有低电压放大和开关特性,适用于负载开关、PWM应用中;...
AO3401中文数据手册.pdf,AO3401 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO3401 uses advanced trench technology to provide VDS -30V excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -4.0A voltages as low as 2.5
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Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)AO3401参数(SOT-23/SC-59 P-CH 30V 4A,封装:SOT-23-3),AO3401中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(5页,498KB),您可以在AO3401MOS管规格书Datasheet数据手册中,查到AO3401引脚图及功能的应用电路图引脚电压和使用方法
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AO3401 SOT-23 ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTORLTD品牌 热度: AO420 技术资料 热度: 1811AO钠表操作手册(中文) 热度: Symbol V DS V GS I DM T J ,T STG SymbolTypMax 6590 85125 R θJL 4380 W MaximumJunction-to-Lead C Steady-State°C/W ...