一、AO3400A技术参数详解 品牌：AOS美国万代半导体 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个 零件状态：不適用於新設計 FET类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）...
AO3400A、 N沟道、 30V、 5、 7A、 AOS、 美国万代 商品图片 商品参数 品牌: AOS/美国万代 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 300000 产品应用: 电子设备 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价...
AO3400 SOT-23-3 30V 5.8A丝印A08K N沟道MOS场效应管 可提供样品 AO3400 50000 JLHT SOT-23-3L 23+ ￥0.2100元10~-- PCS 深圳市晶立弘泰电子科技有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 AO3400A 场效应管 AOS 封装SOT23 批次21+ ...
型号: AO3400A 封装: SOT-23 批号: 20+ 数量: 30000 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 类别: 不適用於新設計 产品族: 分立半导体产品 系列: 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型: N 通道 漏...
型号:AO3400A 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 批号:最新 最大漏源电流:5.8A 漏源击穿电压:30V RDS(ON)Max:30mΩ 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3400A MOS管 ...
AO3400A N沟道MOS场效应管现货直销型号/规格: AO3400 A09T/3400/A0BK/X0BK 品牌/商标: AOS 封装形式: SOT-23-3 环保类别: 无铅环保型 安装方式: 贴片式 包装方式: 卷带编带包装 功率特征: 中功率询价 询价 相关产品 SM2311PSA 二三极管 场效应管 SM2303PSA 二三极管 场效应管 SM2305PSA 二三极管 ...
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起订数 50个起批 100个起批 500个起批 发货地 北京 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 晶体管/专用型 商品关键词 AO3400A、 AOS、 N/A 商品图片 商品参数 品牌: AOS 封装: N/A 批号: 22+ 数量: 10000 产品族: 分立半导体产品 系列: 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型: N 通道 ...
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