沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3400A MOS管 ASEMI品牌AO3400A是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了AO3400A的最大漏源电流5.8A,漏源击穿电压30V. •细节体现差距 AO3400A,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺...
AO3400A,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。 AO3400A具体参数为:最大漏源电流:5.8A,漏源击穿电压:30V,反向恢复时间: ns,封装:SOT-23
一、AO3400A技术参数详解 品牌：AOS美国万代半导体 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个 零件状态：不適用於新設計 FET类型：N 通道 技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V 25°C时电流-连续漏极(Id)：5.7A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）...
型号:AO3400 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 最大漏源电流:5.8A 漏源击穿电压:30V RDS(ON)Max:0.033Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如图 特性:中低压MOS管、N沟道MOS管 工作结温:-55℃~150℃ AO3400场效应管 AO3400的电性参数:最大漏源电流5.8A...
型号:AO3400A 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 批号:最新 最大漏源电流:5.8A 漏源击穿电压:30V RDS(ON)Max:30mΩ 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~150℃ 备受欢迎的AO3400A MOS管 ...
AO3400A、 N沟道、 30V、 5、 7A、 AOS、 美国万代 商品图片 商品参数 品牌: AOS/美国万代 封装: SOT-23 批号: 22+ 数量: 300000 产品应用: 电子设备 是否支持订货: 是 现货交期: 1个工作日内 是否支持样品: 是 产品认证: UL,RoHS,CSA,TUV 是否提供FAE: 是 价格说明 价...
型号：AO3400A 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 批号：最新 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS...
FET 类型 N 通道 漏源电压(Vdss) 30V Vgs(最大值) ±12V 功率耗散(最大值) 1.4W(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 型号 AO3400 产品展示PRODUCT DISPLAY 一站式电子元器件配单,专"...
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