aln的湿法刻蚀工艺AlN薄膜的湿法刻蚀工艺主要采用磷酸(H3PO4)作为刻蚀液,通过化学反应来刻蚀AlN薄膜。具体来说,该工艺的步骤包括: 1.将待刻蚀的AlN薄膜置于刻蚀槽中,并加入适量的磷酸溶液。 2.将刻蚀槽加热至所需温度,同时通入氧气或空气等气体,以形成氧化磷(P2O5)等化学物质。 3.通过控制刻蚀液的流速和PH值...
综上所述,研究了AlN和氮化镓在氢氧化钾水溶液和1wt% KOH/10wt%过氧化氢的溶液中AlN和氮化镓的蚀刻行为。结果发现,在相同条件下,n极AlN表面的蚀刻率高于1mm/min,而铝极表面的蚀刻率低至1.6nm/mim,导致n极表面的极性选择性约为900。在氮化镓中也观察到极性选择性,对n极和ga极表面的蚀刻速率分别达到约40nm/min和...
01氮化铝(AlN)作为一种重要的陶瓷材料,在微电子、光电子和MEMS等领域具有广泛应用。02单晶AlN薄膜具有优异的力学、热学和电学性能,是制备高性能器件的理想材料。03干法刻蚀和湿法腐蚀是单晶AlN薄膜加工的关键技术,对于实现高精度、高效率的加工具有重要意义。研究背景和意义 ...
免费查询更多等离子体刻蚀aln刻蚀详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息等,您还可以发布询价信息。
概述:分别通过湿法蚀刻、X 射线衍射 (XRD) 和红外吸收研究了通过物理气相传输 (PVT) 方法生长的 AlN (0001) 单晶的缺陷和晶格完善。在 AlN 单晶的 (0001) Al 表面上观察到约 4000 cm-2 的规则六边形蚀刻坑密度 (EPD)。EPD沿着纤锌矿结构的滑移方向呈现线阵列,表明晶体在生长过程中承受了相当大的热应力。单...
!"# 薄膜的制备与刻蚀工艺研究于毅赵宏锦任天令刘理天 $清华大学微电子学研究所北京%&&&’() 摘要采用直流磁控反应溅射法 * 在 +,$%&&) 和 -./0,/+,$%&&) 上制备了具有较好 $&&1) 择优取向性的 234 薄膜 5 采用典型的半导体光刻工艺 * 利用刻蚀溶液成功地获得了 234 薄膜微图形 5 较好地解决了 ...
AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究.pdf 第 卷第 期增刊 仪器仪表学报 年月 1( ( 1; ’ !# 薄膜的制备与刻蚀工艺研究 于毅 赵宏锦 任天令 刘理天 清华大学微电子学研究所 北京 $ %’() 摘要 采用直流磁控反应溅射法 在 和 上制备了具有较好 择优取向性的 薄膜 采用典型的半 * $%) / / $%) $1) 5 +...
对于PMUT来说,其既作为发射器件,又作为接收器件的特性,要求压电材料的性能不能过于“偏科”。因此AlN相对来说是最适合PMUT应用的压电材料。 此外,AlN最大的优点是成本低、工艺兼容性高,无论是生长成膜还是加工工艺,AlN都具有相当成熟的技术路线。AlN可以在硅、二氧化硅、氮化硅等诸多常见衬底上生长,在生长过程中可...
江苏华林科纳半导体关于AlN和GaN的刻蚀对比研究 引言 AlN、GaN及其合金因其宽带隙和独特的性能被广泛应用于光电子领域,例如基于AlGaN的紫外线发光二极管(UV-LEDs) ,激光二极管(LD),AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs) 和AlGaN/GaN异质结双极晶体管(HBT)。
关于AlN和GaN的刻蚀对比研究—江苏华林科纳半导体 描述 引言 AlN、GaN及其合金因其宽带隙和独特的性能被广泛应用于光电子领域,例如基于AlGaN的紫外线发光二极管(UV-LEDs) ,激光二极管(LD),AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs) 和AlGaN/GaN异质结双极晶体管(HBT)。