表格中的信息给出，SBS的分类是C5，Notes中包含了B也就是说仅要求BGA器件。需求的样品数量是从至少每批次10颗样品中的每颗样品选择5个球，来自3个批次。接受标准是Cpk>1.67；参考文件是AEC-Q100-010和AEC Q003 附加需求：在完整性(机械)测试之前进行预处理加热(两个220ºC回流循环)。如果是无铅的产品，参见...
物理尺寸(PD):测量样品的物理尺寸。 锡球剪切(SBS):评估锡球的剪切强度。 引线完整性(LI):评估引线的完整性。 芯片制造可靠性测试(Group D) 电迁移(EM):评估样品在电迁移条件下的可靠性。 电介质击穿(TDDB):评估样品在电介质击穿条件下的可靠性。 热载流子注入效应(HCI):评估样品在热载流子注入条件下的可靠性。
群组C-封装组装完整性测试共6项测试, 包含:WBS、WBP、SD、PD、SBS、LI 群组D-芯片制造可靠性测试共5项测试, 包含:EM、TDDB、HCI、NBTI、SM 群组E-电性验证测试共11项测试, 包含:TEST、FG、HBM/MM、CDM、LU、ED、CHAR、GL、EMC、SC、SER 群组F-缺陷筛选测试共11项测试, 包含:PAT、SBA 群组G-腔封装完整...
2. 群组B - 加速生命周期模拟测试:包括高温操作寿命(HTOL)、早期寿命故障率(ELFR)、动态热应力(EDR)等3项测试。 3. 群组C - 封装组装完整性测试:包括焊球剪切(WBS)、焊球拉力(WBP)、侧向拆分(SD)、劈裂(PD)、拉伸断裂(SBS)、漏电流(LI)等6项测试。 4. 群组D - 芯片制造可靠性测试:包括电迁移(EM)...
锡球剪切（SBS）：评估锡球的剪切强度。引线完整性（LI）：评估引线的完整性。芯片制造可靠性测试（Group D）电迁移（EM）：评估样品在电迁移条件下的可靠性。电介质击穿（TDDB）：评估样品在电介质击穿条件下的可靠性。热载流子注入效应（HCI）：评估样品在热载流子注入条件下的可靠性。负偏压温度不稳定性（NBTI）：...
热电效应引起闸极漏电HBM：静电放电人体模式HTSL：高温储存寿命HTOL：高温工作寿命HCL：热载流子注入效应IWV：内部吸湿测试LI：引脚完整性LT：盖板扭力测试LU：闩锁效应MM：静电放电机械模式MS：机械冲击NBTI：富偏压温度不稳定性PAT：过程平均测试PC：预处理PD：物理尺寸PTC：功率温度循环SBA：统计式良率分析SBS：锡球剪切...
群组C--封装组装完整性测试(WBS、WBP、SD、PD、SBS、LI、BST)--共7项测试 群组D--芯片制造可靠性测试(EM、TDDB、HCI、BTI、SM)--共5项测试 群组E--电性验证测试(TEST、HBM、CDM、LU、ED、FG、CHAR、EMC、SC、SER、LF)--共11项测试 群组F--缺陷筛选测试(PAT、SBA)--共2项测试 ...
群组C-封装组装完整性测试(PACKAGE ASSEMBLY INTEGRITY TESTS)共6项测试,包含:WBS、WBP、SD、PD、SBS、LI 群组D-晶片製造可靠性测试(DIE FABRICATION RELIABILITY TESTS)共5项测试,包含:EM、TDDB、HCI、NBTI、SM 群组E-电性验证测试(ELECTRICAL VERIFICATION TESTS)共11项测试,包含:TEST、FG、HBM/MM、CDM、LU、ED...
包括WBS 键合球剪切、WBP 键合破断、SD 易焊性、PD 外形尺寸、SBS 焊球剪切、LI 引线平坦度。 4.4.Test-D组-芯片制作可靠性试验 D组试验项目:芯片制作可靠性试验。 包括EM 电迁移、TDDB 介电击穿时间试验、HCI 热载体注入。 4.5.Test-E组-电气验证试验 ...
2. 群组B - 加速生命周期模拟测试：包括高温操作寿命（HTOL）、早期寿命故障率（ELFR）、动态热应力（EDR）等3项测试。3. 群组C - 封装组装完整性测试：包括焊球剪切（WBS）、焊球拉力（WBP）、侧向拆分（SD）、劈裂（PD）、拉伸断裂（SBS）、漏电流（LI）等6项测试。4. 群组D - 芯片制造可靠性测试：包括...