掺氢非晶硅(a-Si∶H)低空穴迁移率的问题已经通过控制膜中的氢含量而得到了解决.利用游离基控制法已经制备了具有低氢含量的a-Si膜,该法借助SiF_4和H_2混合物的辉光放电,并控制各反应成份的滞留时间.MOSFET样品表明空穴迁移率为0.12cm~2/Vs,电子迁移率为0.24cm~2/Vs.这为a-Si CMOS电路的可行性提供了论据....
简单吧?说到底,载流子迁移率就是决定电流在硅(Si)这种半导体材料中流动速度的关键因素。 硅,它是半导体材料的“明星”之一,简直是电路里的明星选手。大家都知道,电流其实是由很多微小的电子和空穴(正电荷载体)组成的,这些微小的粒子就像流动的水珠,在材料里面匍匍爬爬。而这些“水珠”的速度,不仅决定了电流的大小,...
amomentum in the solar cell industry convinced the Japanese to move towards amorphous silicon(a-Si)although CdSe both has higher electron mobility and handles higher current densities 动量在太阳能电池产业说服日本人移动朝无定形的硅(Si),虽然CdSe有更高的电子迁移率并且处理更高的电流密度[translate]...
结果表明,应变可以显著改变Si材料的载流子迁移率,进而影响其电学性能。这一研究对于应变Si材料的应用具有重要的指导意义。 关键词:应变,Si材料,载流子迁移率,电学性能 引言 载流子迁移率是评价材料导电性能的一个重要参数,对于半导体材料而言尤为关键。而在半导体工业中,Si材料作为最常用的材料之一,其载流子迁移率的研究...
百度试题 题目处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后,电子迁移率会___,电阻率会___。相关知识点: 试题来源: 解析 下降/ 减小 上升 / 增大 反馈 收藏
解:将室温下Si的本征载流子密度1.51010/cm3及题设电子和空穴的迁移率代入电导率公式 即得: ; 已知室温硅的原子密度为51022/cm3,掺入1ppm的砷,则砷浓度 在此等掺杂情况下可忽略少子对材料电导率的贡献,只考虑多子的贡献。这时,电子密度n因杂质全部电离而等于ND;电子迁移率考虑到电离杂质的散射而有所下降...
第一次的 TFT 由镉 selenide(CdSe)in 1972 但 investment.momentum 在太阳能电池产业相信日本走向非晶 silicon(a Si)although CdSe 既有较高电子迁移率和处理更高电流密度 翻译结果3复制译文编辑译文朗读译文返回顶部 第一次的 TFT 由镉 selenide(CdSe)in 1972 但 investment.momentum 在太阳能电池产业相信日本走向...
百度试题 题目对于Si材料来说,因为电子迁移率大于空穴迁移率,所以电子扩散系数大于空穴扩散系数 A.正确B.错误相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下,电子迁移率大小顺序为()。A.μ GaAs <μ Ge <μ SiB.μ Ge <μ Si <μ GaAsC.μ
在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,建立了一个半经验的Si1-xGex pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.该模型重点讨论了反型电荷对离化杂质散射的屏蔽作用,由此对等效体晶格散射迁移率进行了修正.并且详细讨论了等效体晶格散射迁移率随掺杂浓度Nd和组分x的变化.利用该模型,对影响空穴迁移率的主要因素进行了分析...