基于二维2D铁电半导体的存储晶体管,有望助力于下一代内存计算。到目前为止,已经发现了几种二维2D铁电材料,其中,二维2D硒化铟In2Se3是最具前景的,因为在二维2D五层结构中,发现了所有的顺电相paraelectric (β)、铁电相 ferroelectric (...
Schematic and SEM image of α-In2Se3-based FeFET. (Credit: Miao et al., 2023) Important to note here is that FeFET (ferroelectric field-effect transistor) is distinct from FeRAM, with the latter having a DRAM-like structure whereby ferroelectric material takes the place of the capacitor ...
首先,让我们来探讨In2Se3的多畴结构。In2Se3的结构属于层状结构,每层由In和Se原子交替排列而成,层之间通过弱的范德华力相互堆积。In2Se3的晶体结构可以被描绘为具有小空间群P63/mmc的蜂窝状结构。在晶体中存在两种不同的畴结构,分别是沿z轴方向排列的p型畴和沿-z轴方向排列的n型畴。这两种畴的中心原子的电...
新型光电探测器——二维in2se3光电探测器 • 78 • ELECTRONICS WORLD ・ 探索与观察 近年来，随着科技的发展，传统半导体材料越来越不能满足人们的需求，科研人员逐渐把目光转移到新型材料上。石墨烯的出现让二维材料成为了 科研人员关注的重点。基于二维材料的各种电子器件表现出的各种电子性能不弱于、甚至超过了...
铁性In2Se3的电驱动长程固态非晶化 图1合成β''-In2Se3纳米线的TEM表征 图2β''-In2Se3纳米线器件中直流电压诱导的非晶化 图3β''-In2Se3纳米线器件的STEM分析 图4β''-In2Se3纳米线器件的原位偏压DFTEM成像及非晶化观察 文献链接 Modi, G., Parate, S.K....
Electrical and optical measurements are carried out on In2Se3 polycrystalline thin films obtained by electron beam evaporation and thermally annealed at di... G Micocci,A Tepore,R Rella,... - 《Physica Status Solidi A》 被引量: 107发表: 1995年 Imperfections in amorphous chalcogenides. IV. A...
Hunan Institute of Science and Technology Reports Findings in Science (Electronic structure characteristics of two-dimensional ferroelectric heterostructuresa-In2Se3/ZnSe) 来自 掌桥科研 喜欢 0 阅读量: 5 摘要: By a News Reporter-Staff News Editor at Electronics Newsweekly - New research on Science ...
图1、β′-In2Se3的结构及其材料表征。图片来源:Nano Letters 图2、制备的β′-In2Se3器件结构,由铁电极化反转调控界面势垒所引起的β′-In2Se3器件电阻转变特性和阻态转变机制。图片来源:Nano Letters 图3、受缺陷迁移影响的β′-In2Se3器件...
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