23.本发明实施例所述电路以8t sram单元为基本单元设置n行n列的内存单元,如图1所示为8t sram电路中每个8t sram单元的结构示意图,每个8t sram单元包括两个交叉耦合的反相器、一对数据传输管以及一对控制晶体管,其中: 24.一对数据传输管设置于交叉耦合的反相器左右两侧,每一侧各设置一个,其中: 25.左侧数据传输...
G11C11/412(2006.01) G11C11/418(2006.01) G11C11/419(2006.01) G06F15/78(2006.01) (54)发明名称一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构 (57)摘要本发明公开了一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构,所述电路以8T SRAM 单元为基本单元设置n行n列的内存单元,每个8T SRAM单元...
本发明公开了一种在内存中实现迭代式异或计算的8T SRAM电路结构,所述电路以8T SRAM单元为基本单元设置n行n列的内存单元,每个8T SRAM单元包括两个交叉耦合的反相器,一对数据传输管以及一对控制晶体管,数据传输管设置于交叉耦合的反相器左右两侧,每一侧各设置一个;控制晶体管设置于交叉耦合的反相器之间,上下各一个...
本发明涉及一种基于8TSRAM单元的电路结构,芯片和模块.8TSRAM单元包括:NMOS晶体管N1～6;PMOS晶体管P1～2.P1,P2和N1,N2交叉耦合,对存储节点Q,QB的数据进行锁存,P1的源极与P2源极电连接到VDD,开启存储节点Q,QB节点对电源通路,N1的源极与N2的源极连接到VSS,开启存储节点Q,QB节点对地通路.存储节点Q与QB通过晶...
之前,我们说过Arm-2D虽然本意是在底层默默的为各类商用和开源GUI软件协议栈提供加速服务,但考虑到在资源受限的深度嵌入式系统环境下,仍然有一大批贫下中农不辞辛劳的在 32~64K Flash、4~32K SRAM的单片机里“螺蛳壳里做道场”——“妄图染指”一般只有高端处理器才能触碰的“华丽”图形界面,Arm-2D也为这些享受不...
我们来了解一下SRAM的基本结构。SRAM由一组存储单元组成,每个存储单元由一个触发器和传输门组成。触发器用于存储数据,而传输门用于读写数据。 6T SRAM的存储单元由6个MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)组成,其中包括两个传输门和四个触发器。传输门由两个MOSFET组成,一个用于读取数据,一个用于写入数据。触发器...
它提供高达64KB的片上闪存和高达8KB的SRAM存储器。连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外围设备。这些...
数据存储器:4KB SRAM EEPROM:可选(具体取决于封装和型号,某些版本可能不包含EEPROM) ADC:8路10位,最高可达150kSPS(每秒采样次数) PWM通道:多个(具体数量取决于型号,通常支持高级和灵活的PWM输出) USART:通常至少一个USART接口,支持同步/异步通信 SPI:支持SPI主/从模式,便于与多种外设通信 ...
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主流FPGA较多采用了基于( )工艺的( )结构。 A. 熔丝,与或阵列 B. flash,查找表 C. SRAM,查找表 D. 反熔丝,与或阵列 查看完整题目与答案 无源光网络(PON)中,测距指( )。 A. 测量各个ONU到OLT的往返时延差 B. 测量各个ONU到OLT的往返物理距离 C. 测量各个ONU到OLT的单程物理距离 D. 测量...