它具有高温稳定性、强度高、化学惰性强等优点,因此被广泛应用于高温电子、光电子、生物医学和光伏等领域。SiC晶体结构主要包括4H-SiC和6H-SiC,下面我将详细介绍这两种结构。 首先,我们来看4H-SiC结构。4H-SiC是一种晶体结构,其晶胞中包含了4个硅原子和4个碳原子,属于闪锌矿型结构。每个硅原子和碳原子都完全共价...
本文通过分子动力学模拟对4H-SiC和6H-SiC的单颗粒划擦过程中的材料去除机理和相应的亚表面缺陷进行了研究。 03 最新进展 本文通过分子动力学模拟,对4H-SiC和6H-SiC的碳面和硅面进行了一系列单颗粒划擦模拟,分析了碳化硅的碳面和硅面在加工中体现出不同的材料去除效率和材料变形特性。图1所示为分子动力学模型和...
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究.建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正.利用SilvacoTCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图.研究结果表明,4H-SiC和6H-SiCVDMOSFET...
对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究.建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正.利用SilvacoTCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了两器件SEB效应发生前后的漏极电流曲线和电场分布图.研究结果表明,4H-SiC和6H-SiCVDMOSFET...
，则是6H-SiC。对于4H和6H多型体的SIC都是立方和六方两种结构的混合体，区别在于立方和六方所占的...
N离子辐 照6H-SiC的Raman光谱260cm -1 处形成Si(LA+LO)模式,并且辐照过程中引 起断键和原子位移等晶格损伤导致拉曼极化张量减小;Ar离子辐照导致与键角 畸变相关的无序网格结构的形成;质子辐照对晶格的长程有序性和平移对称性 作用较小。N离子及Ar离子辐照4H-SiC后,均破坏晶格的长程有序性;质子 辐照后纵向...
具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H.SiC器件具有更高的饱和电流密 度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7v左右.对器件开关时间和单位面积损耗的分析表 明.4H.SiC比6H.SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电 流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极...
Keywords:6H-SiC;4H—SiC;powerVDMOSFET EEACC:2560P 0引言 SiC因其独特的材料属性,例如高击穿电场, 高电子饱和速度,高热导率,在高功耗,高速,高 温开关器件中具有巨大的应用潜力-1J,SiC的功率 处理能力明显优于si.垂直双扩散MOS(VDMOS) 晶体管具有输入阻抗高,开关速度快,工作频率 ...
用于MEMS的SiC晶片4H-SiC 6H-SiC 3英寸4英寸6英寸8英寸高热导率和低电子漂移, You can get more details about 用于MEMS的SiC晶片4H-SiC 6H-SiC 3英寸4英寸6英寸8英寸高热导率和低电子漂移 from mobile site on Alibaba.com
文章通过分子动力学模拟,对4H-SiC和6H-SiC的碳面和硅面进行了一系列单颗粒划擦分析,研究了材料去除和相应的亚表面缺陷机理。研究表明,材料的变形去除由塑性无定形转变和位错滑移组成,这些位错滑移可能会导致脆性断裂。相对于碳化硅硅面,碳化硅碳面的材料去除效率更高,且非晶变形更少,这种现象与碳化硅(0001)晶面上的...