6H-SiC在不同方向上热导率数值存在差异 。制备工艺不同会导致4H-SiC热导率有所不同 。化学气相沉积法制备的6H-SiC热导率有其特点 。外延生长的4H-SiC热导率受生长条件影响 。 热导率测试方法对准确获取4H-SiC数据很关键 。激光闪光法可用于测量6H-SiC热导率 。稳态热流计法在4H-SiC热导率测量中有应用 ...
同样,拉曼峰的位置会随着晶片温度的升高而向高频侧偏移,通过分析拉曼光谱位置的偏移和局部温度升高的关系得到了4H-SiC晶片的热导率。结果表明,4H-SiC晶片的热导率在低温情况下随温度升高而升高,此时K∝T 3,当热导率的值达到最大后随着温度的升高而降低,此时K∝T-1,这归因于声子-声子间相互作用和声子缺陷散射...