同样,拉曼峰的位置会随着晶片温度的升高而向高频侧偏移,通过分析拉曼光谱位置的偏移和局部温度升高的关系得到了4H-SiC晶片的热导率。结果表明,4H-SiC晶片的热导率在低温情况下随温度升高而升高,此时K∝T 3,当热导率的值达到最大后随着温度的升高而降低,此时K∝T-1,这归因于声子-声子间相互作用和声子缺陷散射...
本文研究了n型,V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化.采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T),对比发现n型样品具羊高的热扩散系数.差热扫描量热法(DSC)测试了n型,V掺杂补偿半绝缘,高纯(high purity)4H-SiC体的比热容Cp(T).对比发现高纯4H-SiC与V补...
SiC单晶片 直径 2,3,4,6,8英寸 类型/掺杂剂 N/氮气/本征/HPSI 电阻率 .012 -.028欧姆 * 厘米 厚度 250um - 15,000um(15mm) 表面光洁度 单面或双面抛光 堆叠顺序 ABCB/侧面抛光ABCACB 介电常数 9.6/9.66 电子迁移率 800 cm2/V * s 密度 3.21。103 kg/m3 包装和发货信息 Packaging Details 由PET...
在本研究中,使用激光激发的激光拉曼光谱研究了4H-SiC晶片从低温(80 K)到室温(290 K)的热导率.在整个测量过程中,激光既作为拉曼光谱的激发源又作为热源,通过激光加热提高了晶片表面的局部温度.同样,拉曼峰的位置会随着晶片温度的升高而向高频侧偏移,通过分析拉曼光谱位置的偏移和局部温度升高的关系得到了4H-SiC晶片...