4H-SiC芯片的比热容具有较高的热导率,其值为380W/(m · K)。这一特性使得4H-SiC芯片在高温、高功率应用中表现出优异的热稳定性。此外,4H-SiC芯片还具有高热导率、高击穿电场、高热膨胀系数等优点,这使得它在电力电子器件领域具有广泛的应用前景。 4H-SiC芯片在制造过程中需要经过多步复杂的工艺流程,包括晶体...
4H-SiC圆晶是一种透光率较高的晶片。为避免闪光法测试中脉冲光穿透被测样品无法有效加热样品以及红外探测器无法准确测量样品背面温升，需要对样品的前后表面进行处理，一般是喷涂热解石墨层或沉积金属层，以起到遮光和吸热作用。对于高导热材料的闪光法测量，测试误差的一个主要来源就是样品表面涂层。考核高导热系数闪光...
4H-SiC因其高折射率、可见光到近红外光谱中的低损耗、卓越的机械硬度、化学抗性以及在室温下显著的高热导率,成为理想的材料[33–40],并在SiC光子学中得到了广泛应用。 我们实验展示了一个大面积(1.15 × 1.15 cm²)的4H-SiC超透镜,并与商用物镜的光学基准进行了对比,结果表明其在高激光功率下的长期操作中表...
杂质原子也可以干扰晶格的热传导。 典型值 单晶SiC 4H在室温下的热导率约为450-500 W/(m·K)。多晶SiC 4H的热导率通常较低,在50-250 W/(m·K)范围内。 提高热导率 可以通过多种方法提高SiC 4H的热导率,包括: 使用高纯度材料:减少缺陷和杂质的浓度可以提高热导率。 控制晶体生长条件:优化生长条件可以...
本研究提出了一种能够减轻高功率激光加工中热漂移问题的 4H-SiC 超透镜。实验结果表明,4H-SiC 超透镜凭借其卓越的热导率,实现了优异的热稳定性和光学性能。该超透镜对标高性能商用物镜的光学指标,基于纳米柱超胞,实现了对偏振不敏感...
更重要的是,根据晶格结构可以判断出4H-和6H-SiC的热导率呈各向异性特征,但由于在测量精度上存在问题,使得之前有些测试研究通常会忽略这种差异[2,4,5]。文献[9]采用光热辐射法测量了6H-SiC的各向异性热导率,文献[10]基于飞秒激光的时域热反射法在250K~450K的温度范围内测量了4H和6H碳化硅的各向异性热导率。
同样,拉曼峰的位置会随着晶片温度的升高而向高频侧偏移,通过分析拉曼光谱位置的偏移和局部温度升高的关系得到了4H-SiC晶片的热导率。结果表明,4H-SiC晶片的热导率在低温情况下随温度升高而升高,此时K∝T 3,当热导率的值达到最大后随着温度的升高而降低,此时K∝T-1,这归因于声子-声子间相互作用和声子缺陷散射...
本文研究了n型,V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化.采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T),对比发现n型样品具羊高的热扩散系数.差热扫描量热法(DSC)测试了n型,V掺杂补偿半绝缘,高纯(high purity)4H-SiC体的比热容Cp(T).对比发现高纯4H-SiC与V补...
4H-SiC是其晶体结构的一种类型,具有六方晶格结构。宽带隙(约3.26 eV),使其能够在高温和高电压环境下工作。较高的热导率(约4.9 W/m·K),优于硅,能够有效引导和散发热量。较高的热导率(约4.9 W/m·K),优于硅,能够有效引导和散发热量。P型掺杂后的碳化硅具有较低的电阻率,适合于构建PN结。随着电动汽车...