例如,在高温环境下,4H-SiC光学元件可以用于炉内观察、高温光学测量等应用;在高频环境下,4H-SiC光电器件可以用于高速光通信、高频光谱分析等应用;在抗辐照环境下,4H-SiC光学器件可以用于核电站、航空航天等领域的应用;在大功率环境下,4H-SiC光学器件可以用于激光器、高功率LED等领域的应用。 总之,4H-SiC材料在光学器...
通过比较 4H 与其他 SiC 多型体和硅的晶体结构以及机械、声学、电气和热性能,结果表明 4H-SiC 具有适用于 MEMS 应用的显著特性,包括其横向各向同性和较小的声子散射耗散。介绍了绝缘体上 SiCOI (4H-SiCOI) 基板作为新兴 MEMS 技术平台的实用性和实现。此外,本文还报告了 4H-SiC 的温度相关机械性能,包括 Lamé...
在高功率激光照射 60 分钟后,4H-SiC 超透镜的器件温度仅上升了 3.2℃,温度变化仅为物镜(升温 54.0℃)的 6%。与传统物镜相比,4H-SiC 超透镜在没有附加冷却组件的情况下,运行约 10 分钟后即可达到稳定温度,且温度变化较小、工作温度更低。这种卓越的热管理性能展现了 4H-SiC 超透镜在苛刻工况下的有效性。 为...
通过比较不同厚度生长的4H-SiC外延层在相同激发条件下获得的光致发光和光电导衰减测量的时间常数,有助于更好地理解这个问题。 实验条件和设备: 12 ~ 62 µm的4H-SiC外延层通过化学气相沉积在350 µm厚的4H-SiC n+型衬底上(电阻率约为0.05 Ω∙cm)。所有外延层为n型掺杂,载流子浓度为1014 ~ 1015 cm-...
在光电器件方面,4H SiC单晶可以用于制作高功率激光二极管和紫外光发射器等。 总结 4H SiC单晶作为一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的物理和化学性质,广泛应用于高功率电子器件、高温传感器和光电器件等领域。通过合适的制备方法,可以获得高质量的4H SiC单晶原料。未来,随着技术的进一步发展,4H SiC单晶的应用领域将会...
在参数对比中，4H-SiC的本征载流子浓度和电子迁移率远高于6H-SiC。更高的电子迁移率意味着更高的电流密度或更低的导通电阻，使得4H-SiC在功率半导体应用中具有优势，尤其是在开关速度方面，4H VDMOS的电压上升时间更短，开关速度更快。英飞凌作为SiC领域的领先企业，提供了广泛的产品和解决方案。欲深入了解...
SiC（碳化硅）作为半导体材料，因其卓越的电学特性而备受瞩目。在SiC的不同单晶结构类型中，3C（立方碳化硅）、4H（四方碳化硅）和6H（六方碳化硅）是最为常见的。这些结构各自适合不同的应用场景。特别是4H-SiC，在高压和高功率器件的应用中表现出明显的优势。3C-SiC由于其结构上的不稳定性，在高温条件...
14°C/毫米）条件下生长的单个4H–SiC晶体。通过对比，可以明显看出，保持较高的ΔTcrystal值能够有效抑制树枝状生长，并促使获得更为平滑的晶体生长表面。提供了2英寸直径4H–SiC晶体在约3毫米/小时的生长速率下的实际生长照片，并展示了生长过程中基面位错密度的变化情况。从图中可以清晰地看到，随着生长的进行，...
在制造4H-SiC整流桥时,需要进行精确的切割、研磨和抛光等加工步骤,以确保其具有良好的电学性能和机械强度。同时,光刻胶涂覆也是4H-SiC加工中的一个重要步骤,用于将电路图案转移到硅片上。 总之,4H-SiC加工是一个复杂的过程,需要高精度的设备和技术。具体的加工方法取...