索引词 — 4H-SiC、4H-SiCOI、4H-SiC 高纵横比 (HAR)深反应离子蚀刻(DRIE)、声学材料、弹性各向异性、弹性常数、频率分裂、HAR DRIE、高 Q 因子、机械材料、机声学材料、微机电系统 (MEMS)、MEMS 谐振器、碳化硅 (SiC)、绝缘体上碳化硅 (SiCOI)、智能切割、频率温度系数 (TCF)、品质因数温度系数 (TCQ)、...
由于4h-sic的电子亲和势为3.8ev,禁带宽度为3.26ev,因此,n型4h-sic理想的欧姆接触金属的功函数值要求低于4ev,p型4h-sic理想的欧姆接触金属的功能函数值要求高于7ev,这导致非常难以在4h-sicp-igbt发射极p+/n+源区同时形成欧姆接触。研究表明,当退火温度为700-800℃时,ni与高掺杂n型4h-sic能形成良好的欧姆接触。
如图1所示。结构器件结构包括一个高掺杂的N+帽、N型沟道、P型缓冲层、半绝缘衬底,这些结构共同叠加成4H-SiC MESFET新结构,器件表面钝化层主要是Si3N4。 为了实现简化工艺目标,共同产生阶梯栅槽与通道,且两者的深沟槽厚度与浅沟槽厚度相同。栅金属和浮空金属成为镍(Ni),5.1eV是功函数。P缓冲层浓度、N沟道浓度和...
4H_SiCMESFET新结构的特性研究
另一方面,半绝缘型4h-sic的能级为表面态钳制的费米能级,金属与其接触后形成的势垒高度与金属功函数无关,载流子注入时的势垒均远高于热激发载流子的能量,因此有效抑制了外电路中载流子的注入。该器件在360nm的峰值波长处,当光功率密度为26.37μw/cm2时,亮暗电流比达到105以上。
金属碳化物材料TiC是一种低阻稳定的化合物金属,其功函数低于4H-SiC,且与SiC粘附性好,所以是制备n型4H-SiC欧姆接触的理想材料。本文利用ECR氢等离子体处理SiC表面,采用溅射法和剥离工艺制备TiC电极,并在低温(<800℃)条件下退火。采用标准传输线模型法(TLM)测量并计算比接触电阻p_c。结果表明,TiC电极无需退火即可...
研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H—SiC上的欧姆接触.在1020oC退火后,Ni/Pt与n型4H—SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2×10^-6Ω·cm2.Ti/Pt与n型4H—SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10^-6Ω·cm2,退火温度为1050℃.虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H—SiC形成欧姆接触.使用能谱分析...
新型终端结构的4h-sic sbd理论和实验研究-theoretical and experimental study of 4h - sic sbd for new terminal structure.docx,摘要SiC 肖特基势垒二极管(SiC SBD)以其导通电阻低,开关特性好等优势在 功率系统中展现出巨大的应用潜力。基于高 k 介质场板终端的 4H-SiC
图2为单一具有斜面结构4H-SiC SBD功率器件结构示意图,倾斜角的位置如图所示,其余器件结构同图1。 图3为加有场环结构和斜面结构的4H-SiC SBD功率器件示意图,即在图2的器件结构基础上添加了P型掺杂的场环结构。三种器件结构的具体结构和浓度参数如表1所示,其中金属的功函数为 6.9 eV[4]。 2.1 材料模型 采用如...
摘要: 研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触.在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2× 10-6Ω·cm2.Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃.虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容... 查看全部>> ...