4H-SiC以优越的本征优势成为下一代高功率器件的首选材料。本项目提出将p型埋层构成的浮动结(FJ)应用于结势垒肖特基(JBS)二极管的新结构，来提高来提高功率器件的性能。基于先进的二次外延生长技术，将p型层埋于JBS体内形成一个浮动结，开展这一新型高功率4H-SiC JBS器件的理论和实验研究，在满足所需要的击穿电压...
《高功率4H SiC光导开关超高耐压形成方法研究》是依托安徽工业大学，由周郁明担任项目负责人的面上项目。项目摘要 半导体光导开关（PCSS）是新型的高功率器件，碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料，现有的SiC光导开关容易提前击穿而导致耐受电压低。本项目研究SiC光导开关的超高耐压形成方法。通过建立SiC双面高浓度外延...
《4H-SiC厚外延膜中扩展缺陷产生及转化机理研究》是依托西安电子科技大学，由贾仁需担任项目负责人的面上项目。项目摘要 高功率SiC基功率器件的实现普及，会使能源转换领域将会发生巨大变化，极大地促进能源节约型社会的建设进程。基于SiC的高功率器件须在SiC的厚外延上进行制作，厚外延材料质量的优劣（缺陷多少）直接决定...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiCMOSFET特征概述 各种多种晶型,它们的物性值也各不相同。其中,4H-SiC最合适用于功率器件制作。另外,SiC是唯一能够热氧化形成SiO2的化合物半导体,所以适合制备MOS型功率器件。 2018-07-15 11:05:41 元宇宙概念股最新消息 ...
《HfAlO/4H-SiC MOSFETs功率器件研究》是依托西安电子科技大学，由张玉明担任项目负责人的面上项目。中文摘要 高功率SiC基器件的普及，能有效降低能量损失，促进能源节约型社会的建设。为适应高功率SiC MOSFETs器件发展，用高介电常数材料来替代现有的SiO2栅氧化层势在必行。本项目在现有SiO2/SiC MOSFETs和high-k材料/...
主要对SiO2/SiC的界面、通过蒙特卡洛方法模拟了中子在6LiF敏感层中的行为和反应产物在6LiF及SiC中的行为、SiC干法刻蚀工艺以及离子注入掺杂等关键工艺进行了研究，以及采用原子力显微镜对离子注入前后SiC表面形貌进行了系统研究。研究发现，Ar气气氛下600℃退火所得到SiO2/SiC界面质量最好。通过蒙特卡洛理论模拟中子和核...
由于SiC材料优良的物理化学性能，以及其在功率半导体器件和军事上的的巨大潜力SiC基MOSFET器件技术，将其作为Si基功率器件之后新一代高压直流输电的核心器件，对于提高电能传输与转换效率，降低损耗，充分利用电能等具有重要社会和经济效益。本项目主要针对不同晶面的槽栅结构的4H-SiC MOSFET器件展开研究，进行了4H-SiC的...
《高性能4H-SiC PIN 紫外光电探测器一维阵列的研制》是依托厦门大学，由吴正云担任项目负责人的面上项目。项目摘要 本项目综合考虑影响SiC探测器性能的诸多因素，通过芯片结构的理论设计和制备工艺的优化，着重研究抑制探测器暗电流和提高探测率的方法，采用氧化硅/氧化铝（SiO2/Al2O3）复合钝化/抗反射层，研究该复合...
结果发现，（1）在6H-SiC 材料中掺入N可以加快6H-SiC的干氧氧化速率；（2）6H-SiC干氧氧化速率随着N掺杂浓度的增大而增大；（3）用提取出的Arrhenius活化能来解释6H-SiC 中N掺杂提高氧化速率是不合理的。（4）氧化前向4H-SiC外延层中注入N+会加速SiC材料的氧化速率，且注入的N剂量越大，SiC材料的氧化速率越...