所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。
近年来,国内的4H-SiC功率二极管研究及产业也日趋成熟:泰科天润已成功推出600~1700 V 4H-SiC二极管产品,中国电子科技集团公司第五十五研究所Huang等已开发出超过10 kV的SiC结势垒肖特基(JBS)器件,浙江大学Ren等研制了1.2 kV 的沟槽结势垒肖特基(TJBS)器件,西安电子科技大学Yuan等分别研制了超过5 kV的SiC JBS二极管及...
【4H-SiC光电探测器的结构与表征】 4H-SiC晶片与电极之间有四种不同的连接方式,分别是单“肖特基接触”、单“欧姆接触”、同面“肖特基+欧姆接触”和异面“肖特基+欧姆接触”。其中,肖特基接触是将电极与4H-SiC的光滑表面连接,欧姆接触是将电极与激光切割的截面连接。纯“肖特基接触”虽然对载流子形成了很大的内部驱...
全新SiC MOSFET设计中还采用了n型JFET替代结构,能够有效降低MOSFET导通电阻,而且JFET替代所带来的优势在更高的电压电压的MOSFET中更为明显。全新SiC MOSFET基于6英寸4H-SiC外延片制造,并在三菱电机全新的6英寸SiC晶圆生产线上进行生产。 图1 1700V SiC-MOSFET结构剖面图 2.2 静态特性 全新1700V SiC MOSFET采用VGS= ...
3.2 阶梯栅结构和坡形栅结构4H-SiC MESFET物理特性对比及优化 在图2中描述了坡形栅MESFET的结构,在此引入坡形栅MESFET的特征参数(EPCG),即坡形栅的终点,定义上栅和下栅的交点为坡形栅的终点。图6中①、②、③、④分别代表了1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅的坡形栅MESFET。图7为坡形栅和阶梯栅MESFET漏电...
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合成。其晶体结构具有同质多型体的特点,在半导体领域最常见的是具有立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。
总之,一个600伏,高电流(10A)4H-SIC横向场效应晶体管被制造在6英寸晶圆上。尽管使用了简单的工艺流程来实现与双RESURF和/或多区漂移设计相反的单个RESURF结构漂移设计,但却实现了非常高的击穿电压,显示出理想(模拟)击穿电压的94%。更好的降低了采用了一种新氧化物工艺带来的特定导通电阻,实现更高沟道迁移率和低电...
高温压力传感器在民用和军事上都有着十分广泛的用途,然而高温环境下的弹性结构失稳以及电引线性能退化是导致传统MEMS压力传感器无法正常工作的关键原因。SiC是具有宽带隙、高击穿场强、高热导率和高电子饱和速度及良好机械性能的材料,它的化学稳定性和抗辐射能力等这些特性使SiC在制造高温恶劣环境下的压力传感器中具有明显...
图1是为本发明具有沟道内部分重掺杂区域、部分轻掺杂区域以及部分绝缘区域的4h-sic金属半导体场效应晶体管示意图。 其中:1为4h-sic半绝缘衬底,2为p型缓冲层,3为n型沟道层,4为源极帽层,5为漏极帽层,6为源电极,7为漏电极,8为栅电极,9为轻掺杂区域,10为氮化硅绝缘区域,11为重掺杂区域。
压力传感器主要有压阻式和电容式两种结构,电容式压力传感器具备高灵敏度、高频响、低温漂等优点,是SiC压力传感器更具潜力的研究方向[3]。电容式压力传感器的基本结构如图1所示,受到压力作用时,薄膜产生形变,上下极板间距发生变化,从而改变电容器的容量。 变化电容[4]: ...