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RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 23dB 4-CP 文件大小: 298.00KB 扫码查看芯片数据手册 上传产品规格书 3SK264-5-TG-E 产品属性 晶体管极性: ?频道 电压, Vds 最大: 15V 功耗, Pd: 200mW 封装类型: TO-253 针脚数: 4 功耗: ...
3SK264-5-TG-E由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。3SK264-5-TG-E价格参考￥0.5247。onsemi(安森美) 3SK264-5-TG-E参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):15V;连续漏极电流(Id):30mA;耗散功率(Pd):200mW;阈值电压(Vgs(th)):700mV;输入电容(Ciss@Vds):
参数信息 品牌 tt 颜色分类 3SK264-5-TG-E,3SK263-5-TG-E 图文详情 本店推荐 ECS-2033-480-BN/ECS-2033-500-AU/ECS-2033-500-BN ¥13.7 FC-DA1608HRK-620D/FC-DA1608HYK-588J/FC-DA1608UGK-520D10 ¥0.11 HR30-7P-12S(71)/HR30-7P-12SC(71)/HR30-7P-C(31) ¥15.95 FDMM004GMG-...
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