1. **便携式电子设备**: 2SK3663-T1-A-VB 适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。其紧凑的封装和低导通电阻使其非常适合这些空间有限但需要高效能的应用。 2. **电池管理系统**: 在电池管理系统(BMS)中,2SK3663-T1-A-VB 可用作电源开关或保护电路,帮助控制电池的充放...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号2SK3663-T1-A-VB 商品编号C5456474 商品封装SC70-3 包装方式 编带 商品毛重 0.311克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 4A 属性参数值 导通电阻(RDS(on)) - 耗...
品牌:VBsemi(微碧) 型号: 2SK3663-T1-A-VB 商品编号: DS39722348 封装规格: SC70-3 商品描述: N—Channel沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:SC70-3 商品详情 商品介绍 N—Channel沟道,20V,4A,RDS(ON),45mΩ@10V,49mΩ@4.5V,60m...
唯样商城为您提供Renesas设计生产的2SK3663-T1-A 元器件,主要参数为:,2SK3663-T1-A库存充足,购买享优惠!
2SK3663-T1-A-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用紧凑的SC70-3封装。该器件具有20V的漏源电压(VDS)和±12V的栅源电压(VGS),适用于各种低电压应用。其采用Trench技术,具有较低的导通电阻和适中的漏极电流(ID),非常适合空间有限且需要高效能的电子设备。