2SK3386-Z-E1-AZ-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管,具有60V的漏极-源极电压,最大45A的漏极电流,以及在VGS=10V时的24mΩ的导通电阻(RDS(ON))。其丝印为VBE1638,封装为TO252。 **详细参数说明:**- 最大漏极-源极电压(VDS):60V- 最大漏极电流(ID):45A- 导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ ...
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型号:2SK3386-Z-E1-AZ-VB 商品编号: 封装规格:TO252 商品描述:台积电流片,长电封测。N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V)封装:TO252 是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、...