2SK2586-E中文资料
2SK2586-E 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 极性 N-CH 漏源极电压(Vds) 60 V 连续漏极电流(Ids) 60A 上升时间 260 ns 输入电容(Ciss) 3550pF @10V(Vds) 下降时间 370 ns 工作温度(Max) 150 ℃ 工作温度(Min) -55 ℃ 耗散功率(Max) ...
制造商 : HITACHI Semiconductor Ltd 封装/规格 : TO-3PN 产品分类 : MOSFETs Datasheet: 2SK2586-E Datasheet (PDF) RoHs Status: Lead free / RoHS Compliant 库存: 4555 Share: Pinterest LinkedIn WhatsApp Facebook Line X 分享 对比产品 数量 加入BOM 询价 ...
制造商编号 2SK2586-E 制造商 Renesas(瑞萨) 唯样编号 G-2SK2586-E 供货 Arrow 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目...
制造商型号:2SK2586(E) 制造商:Renesas(瑞萨) 商品编号:G12901143 供应商编号:2SK2586(E) 封装/规格: 商品描述: 阶梯价格 数量香港国内含税 5+ -- ￥99.02225 10+ -- ￥94.64074 25+ -- ￥90.25922 50+ -- ￥80.97041 100+ -- ￥75.01155 250+ -- ￥74.04762 500+ -- ￥72.29501 规格...
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