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系列 2SK3075 商标 Toshiba Pd-功率耗散 20 W 产品类型 RF MOSFET Transistors 工厂包装数量 1000 子类别 MOSFETs Vgs - 栅极-源极电压 25 V Vgs th-栅源极阈值电压 1.5 V 单位重量 300 mg 可售卖地 全国 类型 RF Power MOSFET 型号 2SK3075(TE12L,Q) 价格说明 价格:商品在爱采购的展...
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公司名片 手机号: 联系人:孙旭斌 公司名称:汕头市陈店镇榕发电子商行 马可波罗网>库存与二手>库存产品>库存电子元器件>现货供应2SK3075 最近被加入的企业 名片夹还没有企业信息,赶紧查看企业联系方式加入吧! 现货供应2SK3075 价格:10元更多产品优惠价> ...
Data sheet 2SK3075 Data sheet/Japanese PDF: 319KB Mar,2014 Data sheet 2SK3075 Data sheet/English PDF: 199KB Mar,2014 S-parameter S-parameter txt: 185KB Jan,2003 Application Note MOSFET SPICE model grade PDF: 1639KB May,2023 Application Note Electrical Characteristics: Power MOS...
2SK3075 168Kb/4PSILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER More results 类似说明 - 2SK3075 制造商部件名数据表功能描述 Central Semiconductor C...BFR1 33Kb/1PSmall Signal Transistors 2N3011 33Kb/1PSmall Signal Transistors ...
2SK3075(TE12L,Q) 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 频率 520 MHz 额定电流 5 A 额定功率 20 W 输出功率 7.5 W 增益 11.7 dB 测试电流 50 mA 工作温度(Max) 150 ℃ 工作温度(Min) -45 ℃ 耗散功率(Max) 20000 mW 额定电压 ...
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