2SK3070L 产品详情Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features• Low on-resistance RDS(on)= 4.5 mΩ typ.• Low drive current• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source类似零件编号 - 2SK3070L 制造商 部件名 数据表 功能描述 Inchange Semiconductor ... 2SK...
2SK3070L-E 日立授权代理商 大量现货 2SK3070L-E 日立授权代理商 大量现货 价格:0.01元 最小采购量:1000 主营产品:二极管,三极管,贴片钽电容,贴片电阻、电容,三端稳压管,IC集成电路,场效应管,IC集成电路,电解电容,发光二极管 供应商:东莞市谐煌塑胶电子有限公司 所在地:中国 联系人:郑峻呈 联系电话 点...
2SK3076(S) Power switching MOSFET 2SK3080 Power switching MOSFET2SK3070(L) PDF资料和参数原理简介 品牌: Hitachi 封装形式 : LDPAK 引脚数量 : 0 温度范围 : 最小 0 °C | 最大 0 °C 文件大小 : 59 KB 功能应用 : Power switching MOSFET 2SK3070(L) PDF资料下载2SK...
2SK3070L 联系电话: 0755-82516777 ad07--360*300 2SK3070L 产品描述 N/A 2SK3070L 产品简介 现货库存 -> 2SK3070L 产品图片 2SK3070L 的图片暂无收录。 ad02--726*90 型号厂商封装描述资料采购 2SK3070LHitachiN/AN/A 2SK3070SHitachiN/AN/A ...
设计直流升压斩波变换电路时，可以使用MOS管2SK3070L、电感和电容组成升压斩波电路。以下是一个基本的设计：1. 首先，确定所需的输出电压。假设我们需要将9V直流电源升压至12V。2. 选择适当的电感和电容。根据设计需求和电路特性，选择合适的电感和电容值。可以根据电路的输出电流、频率和效率等因素来进行...
Inchange Semiconductor ...2SK3070L 327Kb/2Pisc N-Channel MOSFET Transistor More results 类似说明 - 2SK3070L-E Renesas Technology Corp是一家日本半导体公司,可为汽车,工业和消费者市场中的各种应用提供广泛的微控制器,芯片以及模拟和电源设备。 该公司于2010年通过NEC Electronics Corporation and Renesas Techno...
2SK3070L : Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Hitachi Semiconductor 安全代码 :11949 输入验证码 : Please enter the above security code to download datasheet If the datasheet does not displayed, please,download the Adobe Readerorclick to view in HTML datasheet. ...
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