型号: 2SJ625-T1B 封装: SOT23 批号: 23+ 数量: 1227000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 2.5V 最大电源电压: 8V 长度: 1.6mm 宽度: 6.8mm 高度: 2.7mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化...
品牌名称 JSMSEMI(杰盛微) 商品型号 2SJ625-T1B-A-JSM 商品编号 C18194197 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.057克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 20V 连续漏极电流(Id) 4.2A 导通电阻(RDS(on)) 85mΩ@1.5...
2SJ625-T1B-A 封装SOT-23 丝印XM 低压MOS管 场效应管提供BOM配单 深圳市品瑞芯科技有限公司 4年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.27 2SJ625-T1B-A 2SJ626-T1B-A SOT23-3 NEC/RENESAS MOS管现货 深圳市承晓电子有限公司 5年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.01 2...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号 2SJ625-T1B-A-VB 商品编号 C29778756 商品封装 TO-236 包装方式 编带 商品毛重 0.066克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)20V 连续漏极电流(Id)3.5A 导通电阻(RDS(on))65mΩ@4.5V,2.5A ...
**VBsemi 2SJ625-T1B-A-VB 晶体管参数和应用简介:** - **参数说明:** - 封装类型: SOT23 - 沟道类型: P—Channel - 最大耐压: -20V - 最大电流: -4A - 开态电阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V - 阈值电压: Vth = -0.81V [图片] - **适用领域和模块举例:** 1
爱企查为您提供深圳市梓鑫盛科技发展有限公司2SJ625-T1B-A 集成电路(IC) RENESAS/瑞萨 封装SOT23-3 批号18+等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多sid-5426b、wm8725ged、wfr1n4148、td62304af、g561
对比推荐 制造商编号2SJ625-T1B 制造商Renesas(瑞萨) 唯样编号G-2SJ625-T1B 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
型号:2SJ625-T1B-A-VB 商品编号: 封装规格:SOT23-3 商品描述:台积电流片,长电封测。-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V);-0.81Vth(V)封装:'SOT23-3 一款单P型MOSFET,适用于多种电源和功率控制应用,包括但不限于便携式电子设备、电源管理、电池充放电控制和LED照明等领域的模块设计。
2SJ625-T1B-AT 电子元器件 RENESAS 封装SOT23-3 批次16+ 价格 ¥ 0.80 ¥ 0.50 起订数 100个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 2SJ625-T1B-AT、 RENESAS、 SOT23-3
**VBsemi 2SJ625-T1B-A-VB 晶体管参数和应用简介:** - **参数说明:** - 封装类型: SOT23 - 沟道类型: P—Channel - 最大耐压: -20V - 最大电流: -4A - 开态电阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V - 阈值电压: Vth = -0.81V - **适用领域和模块举例:** 1. **功率放大模块:...