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型号 2SJ210-T1B-A-VB 类型 P沟道 漏源电压(Vdss) -60V 连续漏极电流(Id) -0.5A 功率(Pd) 标准 导通电阻 3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) -1.87V 栅极电荷(Qg@Vgs) 标准 输入电容(Ciss@Vds) 标准 反向传输电容(Crss@Vds) 标准 工作温度 标准 封装/规格 SOT-23(SOT-23...
型号 2SJ210-T1B-A 技术参数 品牌: RENESAS 型号: 2SJ210-T1B-A 封装: SOT23 批号: 21+ 数量: 1025 制造商: Renesas Electronics 产品种类: Renesas Electronics PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-2SJ210-T1B-A-RENESAS-SOT23-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
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2SJ210-T1B-A-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电路和模块设计,特别是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和一些特定应用中。 领域模块应用:1. **低功耗模块:** 由于其较低的漏极电流和较高的漏极-源极电阻,适用于低功耗模块设计,如便携式电子设备、传感器节点等。 2. **电源开关模块:** 适用于电源...
平均22小时发货 商品体验优秀 物流体验良好 已售少于100 ¥0.49点击查看更多 配送: 广东广州至 阳泉城区 快递: 100.00现货,付款后48小时内发货 保障: 7天无理由退货 破损包退 参数: 颜色分类:2SJ210-T1B-A 查看更多 参数信息 品牌 lx 颜色分类 2SJ210-T1B-A-VB,2SJ210-T1B-A ...
2SJ210-T1B-A由JSMSEMI/杰盛微设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 2SJ210-T1B-A 价格参考¥ 0.207 。 JSMSEMI/杰盛微 2SJ210-T1B-A 封装/规格: SOT-23-3, P沟道,-60V,-0.185A,4.0Ω@-10V。你可以下载 2SJ210-T1B-A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有...
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型号:2SJ210-T1B-A-VB 商品编号:DS39720955 封装规格:SOT-23 商品描述:台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23;P—Channel沟道,-60V;-0.5A;...
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