部件名2SJ210-T1B-A 下载2SJ210-T1B-A下载 文件大小980.29 Kbytes 页7 Pages 制造商VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd] 网页www.VBsemi.com 标志 功能描述P-Channel60 V(D-S)MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition ...
品牌名称RENESAS(瑞萨)/IDT 商品型号2SJ210-T1B-A 商品编号C3283033 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) - 属性参数值 阈值电压(...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 2SJ210-T1B-A、 NEC、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: NEC 封装: SOT-23 批号: 新年份 数量: 65890 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 5V 最大电...
起订数 1个起批 1000个起批 3000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 2SJ210-T1B-A/JM、 RENESAS/瑞萨、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS/瑞萨 封装: SOT-23 批号: 24+ 数量: 9000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小...
代亦芯片电子 4.5 商品体验优秀 服务体验良好 物流体验一般 已售少于100 ￥0.47点击查看更多 配送: 广东深圳至 阳泉城区 快递: 23.00现货,付款后48小时内发货 保障: 7天无理由退货 参数: 颜色分类:2SJ210-T1B-A 查看更多 参数信息 品牌 BBK/步步高
2SJ210-T1B-A-VB 封装 2SJ210-T1B-A 进口 已售少于100 ￥0.43点击查看更多配送: 广东广州至 阳泉城区 快递: 230.00现货,付款后48小时内发货 保障:7天无理由退货 破损包退 参数:颜色分类:2SJ210-T1B-A查看更多 用户评价 参数信息 图文详情 本店推荐...
型号:2SJ210-T1B-A-VB丝印:VB264K品牌:VBsemi参数:- 封装类型:SOT23- 沟道类型:P—Channel- 最大漏电压(Vds):-60V- 最大漏极电流(Id):-0.5A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压(Vth):-1.87V 封装:SOT23 应用简介:2SJ210-T1B-A-VB是一款P-Channel沟道MOSFET...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 2SJ210-T1B-A、 RENESAS、 SOT23 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS 封装: SOT23 批号: 21+ 数量: 1025 制造商: Renesas Electronics 产品种类: Renesas Electronics 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格...
型号:2SJ210-T1B-A-VB 商品编号:G12307905 封装规格:SOT-23 商品描述:台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23;P—Channel沟道,-60V;-0.5A;...