部件名2SJ210-T1B-A 下载2SJ210-T1B-A下载 文件大小980.29 Kbytes 页7 Pages 制造商VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd] 网页www.VBsemi.com 标志 功能描述P-Channel60 V(D-S)MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Def
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 2SJ210-T1B-A、 NEC、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: NEC 封装: SOT-23 批号: 新年份 数量: 65890 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 5V 最大电...
型号: 2SJ210-T1B-A-VB 商品编号: G12307905 封装规格: SOT-23 商品描述: 台积电流片,长电科技封装;是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23;P—Channel沟道,-60...
起订数 1个起批 1000个起批 3000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 2SJ210-T1B-A/JM、 RENESAS/瑞萨、 SOT-23 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS/瑞萨 封装: SOT-23 批号: 24+ 数量: 9000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小...
品牌名称RENESAS(瑞萨)/IDT 商品型号2SJ210-T1B-A 商品编号C3283033 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) - 属性参数值 阈值电压(...
2SJ210-T1B-A-VB 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star收藏商品 数量国内价格 1+￥0.20240 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4-6工作日 库存: 149(10起订) 1400000(1起订) 数量: X0.2024(单价) 总价: ￥ 0.2024 商品详情 商品介绍 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-0.5A,RDS(ON),3000mΩ@10V...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 2SJ210-T1B-A、 RENESAS、 SOT23 商品图片 商品参数 品牌: RENESAS 封装: SOT23 批号: 21+ 数量: 1025 制造商: Renesas Electronics 产品种类: Renesas Electronics 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格...
产品名称:N/A 厂商:NEC 生产批号:N/A 封装:SOT23-H16 库存状态:有库存 库存量:5000 最低订购量:0 详细资料: 产品介绍 分享到: 2SJ210-T1BN/A由NEC原厂生产,采用SOT23-H16封装,批号N/A,微芯百年集成电路仓库目前有库存 与2SJ210-T1B相关的IC还有: ...
服务体验一般 联系客服进入店铺 已售少于100 ￥0.43点击查看更多 配送: 广东广州至 阳泉城区 快递: 230.00现货,付款后48小时内发货 保障: 7天无理由退货 参数: 颜色分类:2SJ210-T1B-A 查看更多 参数信息 品牌 bdm 颜色分类 2SJ210-T1B-A-VB,2SJ210-T1B-A ...