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内容提示: 2SD669, 2SD669ASilicon NPN EpitaxialADE-208-899 (Z)1st. EditionSep. 2000ApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/AOutline1. Emitter2. Collector3. BaseTO-126 MOD123 文档格式:PDF | 页数:7 | 浏览次数:69 | 上传日期:2022-11-27 23:14:02 | 文档...
2SD669(A) NPN Silicon Transistor 产品说明书 NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features Electrical Characteristics @ 25O C Unless Otherwise Specified Symbol Parameter Min Max Units OFF CHARACTERISTICS V (BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage (I C =10mAdc,I B =0)V (BR)CBO Collector...
页2 Pages 制造商TEL [TRANSYS Electronics Limited] 网页http://www.transyselectronics.com 标志 功能描述Plastic-EncapsulatedTransistors 类似零件编号 - 2SD669 制造商部件名数据表功能描述 Hitachi Semiconductor2SD669 36Kb/7PSilicon NPN Epitaxial SHENZHEN KOO CHIN ELECT...2SD669 ...
背面的焊盘是和中间的电极相连，也就是三极管的集电极相连。三极管2SD669是TO-126C封装的NPN型三极管。封装管脚定义如下图：TO-126C封装图
型号 2SD669 2SB649 需要资料可联系客服,欢迎来源信达电子商城购物! 主营产品: 各种原装进口元器件,包括集成电路,二三极 管,电源IC,IGBT模块,传感器,电阻电容,晶振,光电耦合,SMD,DIP系类… 产品广泛应用于消费 类电子、电脑及周边、网络通讯、电力安防、电源管理、医疗设备及军工产品、通讯仪器、医疗仪器、 音频...
200pcs/包 10pcs 起购 购买数量 pcs 整包数 包 合计 ¥11.17 详细参数 商品编码10CD017751 原厂编码2SD669 品牌长电/长晶(JCET) 毛重0.68 封装规格TO-126 类型NPN 集电极电流(Ic)1.5A 电压值(Vce)120V 额定功率1W 档位100-200 PDF预览 规格书下载 ...