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背面的焊盘是和中间的电极相连，也就是三极管的集电极相连。三极管2SD669是TO-126C封装的NPN型三极管。封装管脚定义如下图：TO-126C封装图
Unisonic Technologies2SD669 77Kb/5PBIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Inchange Semiconductor ...2SD669 297Kb/2Pisc Silicon NPN Power Transistor TRANSYS Electronics Lim...2SD669 90Kb/2PPlastic-Encapsulated Transistors More results 日立半导体是Hitachi,Ltd。的子公司,Hitachi,Ltd。是一家专门从事半导体...
2SD669A 120 160 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =1mA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =160V, I E =0 10 µA Emitter cut-off current I EBO V EB =4V, I C =0 10 µA h FE(1) V CE =5V, I C =150mA 2SD669 2SD...
2SD669是NPN型硅管，Pcm20W/BVceo180V/Icm1.5A/ft140MHz,与2SB649互补，一般可用多用于功率推动电路，可用2SC4793、2SC3117、2SC2073等代换。
2SD669(A) NPN Silicon Transistor 产品说明书 NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features Electrical Characteristics @ 25O C Unless Otherwise Specified Symbol Parameter Min Max Units OFF CHARACTERISTICS V (BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage (I C =10mAdc,I B =0)V (BR)CBO Collector...
型号 2SD669 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可...