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2SD669A(3DA669A)
2SD669A 120 160 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =1mA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBO V CB =160V, I E =0 10 µA Emitter cut-off current I EBO V EB =4V, I C =0 10 µA h FE(1) V CE =5V, I C =150mA 2SD669 2SD...
2SD669A 由JSCJ 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 2SD669A 价格参考¥ 0.645 。 JSCJ 2SD669A 封装/规格: TO225AA, 通用三极管 NPN Ic=1.5A Vceo=160V hfe=60~200 P=1W TO126。你可以下载 2SD669A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 通用三极管 详细...
厂商: HITACHI(日立) 封装: 描述: 2SD669A - Silicon NPN Epitaxial - Hitachi Semiconductor 数据手册:下载2SD669A.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 2SD669A 数据手册 2SD669, 2SD669A Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB649/A Outline TO-126 MOD...
产品参数 产品型号:2SD669A 极性:NPN POLARITY PC:1000 (mW) IC:1500 (mA) VCBO:180 (V) VCEO:160 (V) VEBO:5 (V) VCE(sat):1 (V) 500 IC(mA) 50 IB(mA) hFE:5 VCE (V) 150 IC(mA) 60 MIN. 320 MAX. fT:140* (MHz)
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