2N7002LT1G ON SOT-23 MOS场效应管 分立半导体 晶体管 2N7002LT1G 30250 ON SOT-23 新年份 ￥0.2000元10~199 PCS ￥0.1600元200~999 PCS ￥0.1000元1000~-- PCS 深圳市瑞芯成电子有限公司 3年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 L2N7002KLT1G高热功率MOS管LRC无线电N沟道场效应晶体管SOT-23 ...
2N7002LT1G 1 onsemi(安森美) 原厂 23+ ￥0.1000元1~-- 个 深圳市柏嘉芯科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 2N7002LT1G 场效应管 ON/安森美 封装NA 批次22+ 2N7002LT1G 23180 ON/安森美 NA 22+ ￥20.0003元100~499 个 ￥10.0003元500~999 个 ...
ON Semiconductor (安森美) MOS管 ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V查看详情 SOT-23-3 22周 在产 2007年 ¥0.080 数据手册(36) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (10) 反馈错误
品牌名称 onsemi(安森美) 商品型号 2N7002LT1G 商品编号 C16338 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.03克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)115mA 导通电阻(RDS(on))7.5Ω@10V,500mA ...
品牌: ON 数量: 10000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 115 mA Rds On-漏源导通电阻: 7.5 Ohms Vgs - 栅极-源极...
集成电路-其他集成电路-2N7002LT1G-ON/安森美-SOT23-18+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价...
商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 ON、 2N7002LT1G 商品图片 商品参数 品牌: ON 数量: 1000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电...
2N7002LT1G 价格参考￥ 0.1016 。 ON 2N7002LT1G 封装/规格: SOT-23, MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@10V SOT23-3。你可以下载 2N7002LT1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 ...
ON Semiconductor2N7002LT1G 265Kb/7PMOSFET – N-Channel, Small Signal, SOT-23 60 V, 115 mA June, 2024 - Rev. 11 TECH PUBLIC Electronics...2N7002LT1G 985Kb/3P60V N-Channel Mosfet More results 类似说明 - 2N7002LT1G 制造商部件名数据表功能描述 ...
产品价格: 电话咨询/ 1pcs 厂家: ON Semiconductor 封装: SOT23 批号: 08+PBF 点此询价 产品咨询直线:0755-82024147产品详细说明 描述 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 RoHS 无铅/ 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 标准包装 3,000 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 - FET 型 MOSFET ...