2N7002T2N7002T-7-FSOT523 丝印KN N沟道MOS管 原装 深圳市宝安区瑞佰芯阳电子经营部(个体工商户)1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.18 贴片MOS管 场效应管2N7002T-7-FDIODES(美台) SOT-523-3 N 深圳市京芮电子有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 ...
唯样商城为您提供Diodes Incorporated设计生产的2N7002T-7-F 元器件,主要参数为:±20V 150mW(Ta) 7.5Ω@50mA,5V -55°C~150°C(TJ) SOT-523 N-Channel 60V 0.115A,2N7002T-7-F库存充足,购买享优惠!
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VBsemi的2N7002T-7-F-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造,具有低漏源极电压和适中的导通电阻。该器件适用于低压低功率应用,如电源管理、信号开关和驱动器。2N7002T-7-F-VB采用SC75-3封装,体积小巧,适合于需要高集成度和小尺寸的电路设计。 ### 详细参数说明 - **型号**: 2N7002T-7-F-VB - *...
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型号 2N7002T-7-F 技术参数 品牌: DIODES(美台) 型号: 2N7002T-7-F 封装: SOT-523 批次: 2021 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 90C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 8V 长度: 6.5mm 宽度: 4mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的...
2N7002T-7-F由DIODES(美台)设计生产,立创商城现货销售。2N7002T-7-F价格参考￥0.2043。DIODES(美台) 2N7002T-7-F参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@5V,0.05A;耗散功率(Pd):150mW;阈值电压(Vgs(th)):2
2N7002T-7-F 编带查看详情 SOT-523-3 8周 在产 2005年 ¥0.109 数据手册(13) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (1) 反馈错误 by FindIC.com 2N7002T-7-F 全球供应商 全球供应商 (12家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港...
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