2N7002K-T1-GE3由Vishay设计生产。2N7002K-T1-GE3封装/规格:配置/单路:栅极电荷(Qg)/0.6nC:阈值电压/2.5V@250µA:漏极电流/300mA:晶体管类型/N沟道:功率耗散/350mW:额定功率/350mW:充电电量/0.4nC:反向传输电容Crss/2.5pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/60V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:应用等...
型号 2N7002K-T1-GE3 技术参数 品牌: VISHAY威世 型号: 2N7002K-T1-GE3 封装: SOT23 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 300 ...
SOT-23-3 12周 在产 2012年 ¥0.261 数据手册(10) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (10) 反馈错误 by FindIC.com 2N7002K-T1-GE3 全球供应商 全球供应商 (10家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$ 加币CHF-₣ 法郎HKD-$ 港币INR-RS 卢比JPY-¥ 日元...
唯样商城为您提供Vishay设计生产的2N7002K-T1-GE3 元器件,主要参数为:SOT-23 2.9mm ,2N7002K-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 2N7002K-T1-GE3 商品编号 C81445 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.035克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 300mA 导通电阻(RDS(on)) 2Ω@10V,500mA 耗...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002K-T1-GE3、 VISHAY威世、 SOT-23SOT-23-3 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY威世 封装: SOT-23SOT-23-3 批号: 21+ 数量: 3000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体:...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002K-T1-GE3、 VISHAY、 SOT-23 (TO-236) 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: SOT-23 (TO-236) 批号: 19+ 数量: 138000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: ...
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 190 mA, 2 ohm, SOT-23, 表面安装 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商VISHAY 制造商产品编号2N7002K-T1-GE3 库存编号1858936 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian 查看所有技术文档 包装选项 切割卷带 ...
晶体管 2N7002K-T1-GE3 75000 晶体管 2N7002K-T1-GE3 75000 晶体管 2N7002K-T1-GE3 75000 绝缘零件塑胶壳 1544317-1 22500 绝缘零件塑胶壳 1-1241370-3 6000 绝缘零件塑胶壳 1-1924067-1 12000 接插件 1-968050-1 9000 接插件 1-968050-1 9000
品牌:Vishay(威世) 型号: 2N7002K-T1-GE3 商品编号: G0065642 封装规格: TO-236 商品描述: 场效应管(MOSFET) 350mW 60V 300mA 1个N沟道 SOT-23 商品详情 商品介绍 场效应管(MOSFET) 350mW 60V 300mA 1个N沟道 SOT-23 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量...