2n7002et1g在线咨询批发价格-原厂现货 -- -- -- -- 面议 深圳市凯利讯科技有限公司 -- 立即询价 2N7002ET1G 场效应管 ON/安森美 封装SMD 批次23+ 2N7002ET1G 15000 ON/安森美 SMD 23+ ￥2.0000元100~999 个 ￥1.8500元1000~9999 个 ...
2N7002ET1GSOT-23 onsemi安森美 场效应管MOSFET 深圳市利羊羊科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥3.64 20只2N7002ET1GSOT23-3 贴片N沟道 60V 260mA MOS场效应管芯片 深圳市恒创微电子有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
2N7002ET1G是采用Trench技术的N沟道小信号MOSFET,漏极至源极电压低。适用于低压侧负载开关和电平转换电路。 1.2A脉冲漏极电流 ±20V栅源电压 无卤素 应用 工业,消费电子产品 2N7002ET1G中文参数 制造商: ON Semiconductor 最大工作温度: + 150 C 产品种类: MOSFET Pd-功率耗散: 420 mW 技术: Si 通道模...
2N7002ET1G3000/Tape&Reel SimplifiedSchematic SOT−23 CASE318 STYLE21 703W 703=DeviceCode W=WorkWeek MARKINGDIAGRAM &PINASSIGNMENT 3 21 Drain Gate 2 1 3 Source http://onsemi SOT−23 (Pb−Free) 60V3.0W@4.5V R DS(on) MAX 310mA ...
制造商编号 2N7002ET1G-MS 制造商 MSKSEMI(美森科) 授权代理品牌 唯样编号 A3-2N7002ET1G-MS 供货 严选 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 SOT-23分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 2N7002ET1GMS.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品...
系列: 2N7002E 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 1.3 mm 正向跨导 - 最小值: 530 mS 下降时间: 3.6 ns 上升时间: 1.2 ns 典型关闭延迟时间: 4.8 ns 典型接通延迟时间: 1.7 ns 单位重量: 8 mg 2N7002ET1G 场效应管 ON(安森美) 频率响应 栅极电压 价格说明 价格:商品在平台的展示标价...
2N7002ET1G ON Semiconductor (安森美) MOS管 ON SEMICONDUCTOR 2N7002ET1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V查看详情 SOT-23-3 26周 在产 2007年 ¥0.102 数据手册(19) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (10)
类似零件编号 - 2N7002ET1G 制造商部件名数据表功能描述 ON Semiconductor2N7002ET1G 100Kb/5PSmall Signal MOSFET February, 2011 ??Rev. 3 2N7002ET1G 94Kb/5PSmall Signal MOSFET October, 2016 ??Rev. 5 2N7002ET1G 205Kb/6PSmall Signal MOSFET Single N?묬hannel, 60 V, 310 mA, 2.5 Ohm ...
价格 ¥ 5.00 ¥ 4.50 ¥ 4.00 起订数 1000个起批 2000个起批 5000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 2N7002ET1G、 Onsemi、 N/A 商品图片 商品参数 品牌: Onsemi 封装: N/A 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: ON Semiconductor 产品...
2N7002ET1G由ON设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过future等渠道进行代购。 2N7002ET1G 价格参考￥ 0.8261 。 ON 2N7002ET1G 封装/规格: SOT-23, MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=260mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT23-3。你可以下载 2N7002ET1G 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,...