唯样商城为您提供Vishay设计生产的2N7002E-T1-GE3 元器件,主要参数为:240mA(Ta) N-Channel 3 Ohms @ 250mA,10V 350mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 60V,2N7002E-T1-GE3库存充足,购买享优惠!
1. **电源管理**: 由于 2N7002E-T1-GE3-VB 具有低导通电阻和低阈值电压,因此可用于低功率电源管理电路中,例如小型电源适配器和便携式设备中的开关电源。 2. **信号开关**: 在电路中,这款 MOSFET 可用作信号开关,用于开关信号线路。其低漏源电压和低导通电阻确保信号传输的稳定性和可靠性。 3. **驱动器...
品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 2N7002E-T1-GE3 商品编号 C727275 商品封装 TO-236 包装方式 编带 商品毛重 0.016克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)240mA ...
商品型号:2N7002E-T1-GE3 产品状态:在售 封装规格:SOT23 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103230322 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 SOT23 包装 圆盘 FET类型 N通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 240mA(Ta) 驱动电压...
型号: 2N7002E-T1-GE3-VB 商品编号: 封装规格: SOT23-3 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V)封装:SOT23-3适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的...
参数信息 品牌 tt 颜色分类 2N7002EM3T5G,2N7002E-T1-GE3 图文详情 本店推荐 1240-030A-1N/1240-12-2104/1240-1203G0R095CT01 ¥0.86 HR30-7P-12S(71)/HR30-7P-12SC(71)/HR30-7P-C(31) ¥15.95 AEV250-M/AEV250-MA/AEV250-MAN ¥946.5 国外定制产品,不退不换,不支持7天无理由 ! ¥...
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