唯样商城为您提供Vishay设计生产的2N7002-T1-E3 元器件,主要参数为:115mA(Ta) N-Channel 7.5 Ohms @ 500mA,10V 200mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 60V,2N7002-T1-E3库存充足,购买享优惠!
2N7002-T1-E3 小信号MOSFET 115mA(Ta) N-Channel 7.5 Ohms @ 500mA,10V 200mW(Ta) SOT-23-3 -55℃~150℃ 60V 图像仅供参考 请参阅产品规格 图片丝印不一定为本产品 对比推荐 制造商编号2N7002-T1-E3 制造商Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号J-2N7002-T1-E3-1...
在淘宝,您不仅能发现原装2N7002E-T1-E3正品(MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3)的丰富产品线和促销详情,还能参考其他购买者的真实评价,这些都将助您做出明智的购买决定。想要探索更多关于原装2N7002E-T1-E3正品(MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3)的信息,请来淘宝深入了解吧!
2N7002-T1-E3国产替代产品 2N7002-T1-E3采购批发价格目录 1.概述 概述 SOT-23 IC百科 更多 AM2394NE AM2305PE-T1-PF ACE2302BBM+H 2V7002KT1G Si2312CDS-T1-GE3 SI2308BDS-T1-GE3 RSR020N06TL NTR4503NT1G NTGD3148NT1G IRLML2502TRPBF
The 2N7002-T1-E3 is a 60V N-channel MOSFET with low on resistance and low threshold. Suitable for solid-state relays and TTL/CMOS direct logic-level interface. Low input capacitance Fast switching speed Low input and output leakage Low offset voltage Low error voltage Appl...
制造商产品型号:2N7002-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA TO236 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:- 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 25°C时电流-连续漏极(Id):115mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小...
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, TO-236, Surface Mount Image is for illustrative purposes only. Please refer to product description. ManufacturerVISHAY Manufacturer Part No2N7002-T1-E3 Order Code1021754 Product RangeMulticomp Pro RJ45 Adapter ...
2N7002E 配置 Single 正向跨导 - 最小值 600 mS 晶体管类型 18 ns 典型关闭延迟时间 13 ns 典型接通延迟时间 2N7002E-E3 零件号别名 8 mg 可售卖地 全国 型号 2N7002E-T1-E3返回搜狐,查看更多声明:该文观点仅代表作者本人,搜狐号系信息发布平台,搜狐仅提供信息存储空间服务。发布于:广东省首...
型号: 2N7002E-T1-E3 封装: SOT23-3 批号: 2021+ 数量: 658900 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 240 mA Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms Vgs - 栅极...
品牌名称MSKSEMI(美森科) 商品型号 2N7002E-T1-E3-MS 商品编号 C5331138 商品封装 SOT-23 包装方式 编带 商品毛重 0.034克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)300mA ...