一、2ED020I12-F2推挽驱动电路原理 2ED020I12-F2是一款英飞凌(Infineon)的IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动芯片。该驱动芯片采用推挽驱动电路,使用两个开关元件(如晶体管或MOSFET)交替导通和截止,以产生正负两个方向的输出电压。当IGBT开始导通时,恒流源Idesat会给Cdesat充电。充电至Vref的时间称之为消隐时间tb,tb=C...
04月15日 一、2ED020I12-F2推挽驱动电路原理 2ED020I12-F2是一款英飞凌(Infineon)的IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动芯片。该驱动芯片采用推挽驱动电路,使用两个开关元件(如晶体管或MOSFET)交替导通和截止,以产生正负两个方向的输出电压。当IGBT开始导通时,恒流源...
1、自举式2ED020I12-F芯片在IGBT驱动电路中的应用驱动/自举/2ED020I12-F/IGBT1 引言 随着电力电子技术的发展,各种开关器件如power MOSFET、IGBT(绝缘栅双极晶体管)等功率开关器件得到越来越广泛的应用,同时各种开关器件的驱动芯片也同样得到了高度的重视。目前大多数的驱动集成电路采用直接驱动或隔离驱动的方式。
德国英飞凌公司生产的2ED020I12-F驱动芯片是一种双通道高压、高速电压型功率开关器件栅极驱动器,具有自举浮动电源,驱动电路简单,单片2ED020I12-F驱动芯片可同时驱动逆变电路上下桥臂,三相桥式逆变电路仅用一组电源即可。使用2ED020I12-F驱动芯片可以减小装置体积,降低成本,提高系统的可靠性。 22ED020I12-F驱动...
系列:2ED-F2 输出电压:6.5 V 湿度敏感性:Yes 产品类型:Gate Drivers 工厂包装数量:1000 零件号别名:2ED020I12-F2 SP000920036 单位重量:140 mg 可售卖地:全国 类型:High Side 型号:2ED020I12F 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不...
2ED020I12-F中文数据手册应用研究
2ED020I12 2ED020I12--FF是英飞凌 是英飞凌EiceDRIVER EiceDRIVER系列的一款高低边互锁输 系列的一款高低边互锁输 出的 出的IGBT IGBT//MOSFET MOSFET高压高速驱动 高压高速驱动IC IC。。 高边驱动可一直接供电或通过二级管和电容组成的自举电路实 高边驱动可一直接供电或通过二级管和电容组成的自举电路实 现。
2ED020I12-F 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 电源电压(DC) 18.0V (max) 输出接口数 2 输出电流(Max) 2 A 电源电压 0V ~ 18V 封装参数 安装方式 Surface Mount 引脚数 18 封装 PG-DSO-18-2 外形尺寸 封装 PG-DSO-18-2
2ED020I12-F 应用研究 2006--92006 9--77 WriteWrite byby ColaRong@ColaRong@ 11 题题纲纲 ICIC介介绍绍 ICIC应应用用 ICIC外外部部电电路路 22 ICIC介介绍绍--简简介介 2ED020I12--FF2ED020I12 是是英英飞飞凌凌EiceDRIVEREiceDRIVER系系列列的的一一款款高高低低边边互互锁锁输输 出出的的IGBTIGBT...
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