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FP35R12W2T4| IGBT模块-英飞凌(Infineon)官网 1 2 Download Data Sheet EN Share 02_00 | 2012-08-02 | pdf | 1.6 MB 图表 指标参数 Parametrics2ED020I12-F2 Channels2 ConfigurationHigh-side ; Half Bridge Input Vccminmax4.5 V 5.5 V
一、2ED020I12-F2推挽驱动电路原理 2ED020I12-F2是一款英飞凌(Infineon)的IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动芯片。该驱动芯片采用推挽驱动电路,使用两个开关元件(如晶体管或MOSFET)交替导通和截止,以产生正负两个方向的输出电压。当IGBT开始导通时,恒流源Idesat会给Cdesat充电。充电至Vref的时间称之为消隐时间tb,tb=Cde...
一、2ED020I12-F2推挽驱动电路原理 2ED020I12-F2是一款英飞凌(Infineon)的IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动芯片。该驱动芯片采用推挽驱动电路,使用两个开关元件(如晶体管或MOSFET)交替导通和截止,以产生正负两个方向的输出电压。当IGBT开始导通时,恒流源Idesat会给Cdes...
系列 2ED-F2 电源电压 4.5 V 数量 4680 单位重量 140 mg 产品种类 门驱动器 可售卖地 全国 型号 2ED020I12-F2 品牌:INFINEON英飞凌 批次:21+ 数量:4680 产品种类:门驱动器 RoHS:是 安装风格:SMD/SMT 封装:SOIC-36 输出电流:2 A 上升时间:30 ns 下降时间:50 ns 电源电压-最小:4.5 V 电源...
2ED020I12F2品牌厂家:Infineon(英飞凌),2ED020I12F2渠道分销商:2家,现货库存数量:20 PCS,2ED020I12F2价格参考:¥22.642元。Infineon(英飞凌) 2ED020I12F2参数(,封装:SOP),2ED020I12F2中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载,您可以在2ED020I12F2规格书Datesheet数据手册中,查到2ED020I12F2引脚图及功...
基于2ED020I12-F2的IGBT驱动电路设计 下载积分: 1100 内容提示: a叶技2 01 5年 第2 8卷 第 1期 Electronic Sci. & Tech. / Jan. 15 .2015 doi :10. 16180/ j. cnki. issnl 007 — 7820. 2015. 叭. 002 基于 2ED0201 12 .F2 的 IGBT 驱动 电路设计 马立新,费少帅,张海兵,栾健 ( 上海...
Parametrics2ED020I12-F2 Channels 2 Configuration High-side ; Half Bridge Input Vcc min max 4.5 V 5.5 V Isolation Type Galvanic isolation - Functional Output Current (Source) 2 A Output Current (Sink) 2 A Qualification Industrial Turn Off Propagation Delay 165 ns Turn On Propagatio...
型号 2ED020I12-F2 品牌:INFINEON英飞凌 批次:21+ 数量:4680 产品种类:门驱动器 RoHS:是 安装风格:SMD/SMT 封装:SOIC-36 输出电流:2 A 上升时间:30 ns 下降时间:50 ns 电源电压-最小:4.5 V 电源电压-最大:5.5 V 传播延迟—最大值:195 ns 工作电源电流:7 mA Pd-功率耗散:700 mW 最小工作温度:...