1. 本工作报告了一种2D MoS2/Te异质结，与MoS2和Te传感器本身相比，它显著提高了VOC检测 2. 传感器响应表示VOC暴露时传感器电导的百分比变化，在光照和零偏压条件下，当暴露于丁酮时，传感器响应进一步增强，达到≈7000%。图文解析 图1. MoS2/Te VOC传感器和器件的表征。a） 异质结器件的3D示意图和横截面图（插图...
2D MoS2的催化性能(e)H2压力和(f)反应温度;(g)2D MoS2催化剂的稳定性。 要点3.由于1T-MoS2八面体晶场中Mo4+的流动电子,极大促进了H2的活化。 要点4.1T-MoS2中氧化Mo边缘的富电子Mo位点形成一个“口袋型”的活性位点(HO-Mo-S-...
为了探究MoS2纳米片诱导铁死亡的机制,进一步研究了MoS2纳米片的细胞内化模式和细胞内定位。纳米颗粒主要通过胞吞作用内化进入细胞,包括大胞吞作用、网格蛋白介导的胞吞作用、小穴蛋白介导的胞吞作用使用各种抑制剂阻断细胞内吞作用,研究用异硫氰酸荧光素-牛白蛋白(FITC-BSA)标记的MoS2纳米片暴露细胞,以确定它们的细胞内化途...
图2. GaAsSb/MoS2异质结电学性能,拉曼表征及能带结构: (a) 1D GaAsSb/2D MoS2异质结器件光学图像; (b, c)对应图a中MoS2及GaAsSb纳米线AFM图像;(d)器件电学构造;(e,f)器件转移及输出特性曲线;(g)理想因子及拐点电压值;(h...
在科技与创新的交响乐章中，一支美国科研团队以匠心独运的手法，将二维硫化钼（2D MoS2）与钛酸锶（SrTiO3）薄膜巧妙融合，孕育出了一种新型低功耗场效应晶体管（FET），犹如在电子世界的广袤天地间播撒下一颗希望的种子，专为存储器或神经形态计算的未来而生。这一壮举由宾夕法尼亚州立大学（Penn State）与明尼苏达...
因此，除去石墨烯外，以过渡金属硫族化合物为代表的如MoS2、WS2、WSe2以及黑磷等材料，也被认为是2D材料。其中，研究最广泛的是二硫化钼MoS2。理论上，与二硫化钼相比，电子应该更快的穿过二硫化钨（另一种 2D 材料）。但在英特尔的实验中，二硫化钼器件更胜一筹。实验报告，基于MoS2设备的最高迁移率值接近理论值200...
作为锂离子电池负极,MoS2/Mo2TiC2Tx-500复合材料表现出良好的储锂性能。在电流密度100mA/g下,MoS2/Mo2TiC2Tx-500电极初始充放电容量分别为554和646mAh/g,这远高于之前报道的多层Mo2TiC2Tx和纯MoS2的容量,库伦效率高达86%;循环100次后,比容量还维持在509 mAh/g,表现出优异的循环性能。在倍率性能的测试中,当...
半导体相2D TMD(例如2H-MoS2)是活性光催化剂(光收集材料)的潜在候选者。它们作为活性光催化剂的优势包括:窄带隙(通常小于2.4eV,例如MoS2单层的2.16eV),合适的能带位置,原子薄的属性,作为光催化基础研究的理想平台等。 图9 | 半导体相2D TMDs和一些代表性光催化剂的带隙和光吸收特性。 图10 | 2D TMDs的合适...
在常温下,Monolayer MoS2的热导率约为20-30 W/m·K,而在厚一些的层状结构中(Few-layer MoS2),热导率可以达到100-150 W/m·K。随着温度的升高,热导率会略微增加。值得注意的是,MoS2的热导率相对较低,这是由于其层状结构和弱的层间相互作用导致的。
二维二硫化钼(2D MoS2)是石墨烯之后研究最热的二维材料之一,具有石墨烯类二维材料优异的力学性质和独特的带隙,催化特性,是高分子基纳米复合材料研究的热门材料之一.文中简介了2D MoS2的微观结构,宏观特性;梳理了2D MoS2/高分子纳米复合材料成型制备方法,主要有熔融共混,溶液共混和原位聚合3种,而原位聚合可以更好地...