从目前的发展来看,各公司的28nm制程HKMG工艺2011年陆续实现量产后,主体工艺流程和技术路线已经定型,改进的空间有限。 而Al栅极的CMP是由于HKMG工艺引进金属栅极材料而新增的工艺步骤,一方面发展时间较短,技术尚未完全成熟,一方面相对独立,不会对主体工艺流程和技术路线产生影响。因此既存在改进的空间,又有改进的
因此结合实际情况,到这里我们可以做出一个结论:所谓的28nm光刻机实际应该特指NXT 1970Ci这个型号。 最后插入两个小故事,第一、是某位大佬说HKMG工艺是英特尔把全世界带到坑里,走了很多歪路,原因据说这个HK是铝。 第二,从上面的细节各位也可以看到,哪怕同一个公司,同一个工艺平台,不同版本的工艺,设计规则也是不...
小米研发的SoC的CPU为四核1.4G主频的Cortex A53和四核2.2G主频的Cortex A53,GPU为Mali T860MP4,制造工艺为28nm HKMG,基带为5模基带,不支持cdma 无心摇坠go 亮了瞎了 9 864,比菊花832好,话说菊花的远古基带有地方卖了 saiaz 兰州烧饼 10 红米4a 499买买买 黑天黑地黑老大 笑而不语 12 跑分 把剑...
28nm HKMG结构是指采用金属栅极(Metal Gate)+高介电常数绝缘层(High-k)的栅结构。 HKMG工艺在半导体业界分为两大阵营:以IBM为代表的先栅极(Gate first)工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成之前便生成金属栅极;以Intel为代表的后栅极工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子...
高介电常数中国大陆晶圆代工Poly驱动能力中芯国际日前宣布,28nm高介电常数金属栅极(HKMG)工艺已经成功流片。中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm多晶硅(PolySiON)、28nmHKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的Poly SiON工艺相比,HKMG技术可有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。中国集成电路...
由于我们过去曾经先后分析过Intel前后两代采用gatelast HKMG工艺制作的45nm至强处理器和32nmWestmere处理器两款产品,因此这次我们当然会将台积电的类似产品与其进行对比分析;同样,我们还会回顾我们去年秋季对松下采用gatefirst HKMG工艺制作的Uniphier芯片的分析结果。
其中,用于28nm技术节点HKMG工艺的铝抛光液已取得重大突破,通过客户验证,打破了国外厂商在该应用的垄断并实现量产,标志着公司的技术攻关水平,同时进一步完善了公司的抛光液品类。 安集科技表示,作为快速发展的市场,不同友商的出现是市场发展的自然规律,也是说明对此类市场欣欣发展的信心。在这样的市场发展格局中,首先,安集...
上次介绍了28nm有两版经典的工艺分别是28HKMG(高K金属栅极)和28Poly(多晶硅氮氧栅极),实际上不仅仅是这2个版本,TSMC当年在28nm平台上有延伸出LP,HPM,HPC,HPC+等多个版本,主要是为了针对不同的客户需求,有些客户追求频率和性能,有些客户则追求更低功耗比,因此尽管都是28nm工艺,但是在各个工艺版本略微有区别。
中芯国际在28nm工艺制程上的快速进展得到了高通的帮助,去年中国发起了对高通的反垄断调查,为了换取大陆减轻处罚高通当时做出了一系列的让步,其中之一正是与中芯国际合作研发28nm工艺。目前中芯国际生产骁龙410正是采用28nm HKMG技术,这对中芯国际来说意义重大。
摘要:中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际/SMIC)今天宣布,28nm HKMG(高介电常数金属闸极)工艺已经成功流片。中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm PolySiON(多晶硅)、28nm HKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的PolySiON工艺相比,HKMG技术可有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。联芯科技...