中芯国际在28纳米工艺制程上的迅猛进展，离不开高通公司的助力。在去年中国对高通发起反垄断调查的背景下，高通为了减轻在大陆的处罚，做出了一系列让步，其中就包括与中芯国际携手研发28纳米工艺。如今，中芯国际采用28纳米HKMG技术生产的骁龙410处理器，正是这一合作的重要成果，对其发展而言意义非凡。2.全球半导体产...
目前，中国在28nm制程领域涌现出多家拥有自主知识产权的芯片制造企业。其中，中芯国际作为中国最大的芯片代工厂，全球排名第三，其在28nm制程上掌握了两种工艺：28nm HKMG（高k金属栅）和28nm Poly/SiON（多晶硅/氧化硅氮化硅），彰显了中国在芯片制造领域的实力与影响力。28nm HKMG工艺因其先进性，特别适用于高性能...
从目前的发展来看,各公司的28nm制程HKMG工艺2011年陆续实现量产后,主体工艺流程和技术路线已经定型,改进的空间有限。 而Al栅极的CMP是由于HKMG工艺引进金属栅极材料而新增的工艺步骤,一方面发展时间较短,技术尚未完全成熟,一方面相对独立,不会对主体工艺流程和技术路线产生影响。因此既存在改进的空间,又有改进的需求,是未...
中心国际大幅降低28nm工艺制程芯片代工价格的底气源自多年来的技术积累与成本控制，中芯国际在28nm制程技术上经过多年的技术积累和优化，已经达到了较高的技术水平。中芯国际通过HKMG（高介电常数金属栅极）工艺技术的改进，提高了生产效率和产品性能，从而降低了单位成本。尽管与台积电等国际巨头相比仍有差距，但其在成本...
28nm有两版经典的工艺分别是28HKMG(高K金属栅极)和28Poly(多晶硅氮氧栅极),实际上不仅仅是这2个版本,台积电当年在28nm平台上有延伸出LP,HPM,HPC,HPC+等多个版本,主要是为了针对不同的客户需求,有些客户追求频率和性能,有些客户则追求更低功耗比,因此尽管都是28nm工艺,但是在各个工艺版本略微有区别。
28nm HKMG结构是指采用金属栅极(Metal Gate)+高介电常数绝缘层(High-k)的栅结构。 HKMG工艺在半导体业界分为两大阵营:以IBM为代表的先栅极(Gate first)工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成之前便生成金属栅极;以Intel为代表的后栅极工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子...
中芯国际在28nm工艺制程上的快速进展得到了高通的帮助,去年中国发起了对高通的反垄断调查,为了换取大陆减轻处罚高通当时做出了一系列的让步,其中之一正是与中芯国际合作研发28nm工艺。目前中芯国际生产骁龙410正是采用28nm HKMG技术,这对中芯国际来说意义重大。
28nm HKMG工艺的32位X1核,是一款采用高性能、低功耗设计的处理器核心。它基于精简指令集计算机(RISC)架构,针对高效能计算和快速响应进行了优化。这一核心具备出色的运算能力和数据处理速度,同时保持较低的功耗,非常适用于移动设备、嵌入式系统等对性能和功耗有严格要求的应用场景。 该核心的关键特点包括: 高效能计算:...
衬底的区域划分或功能层构建等其他重要技术，以实现全面技术提升。总结：中国28nm制程技术升级路径应聚焦HKMG工艺，特别是后栅极工艺，加强金属栅结构制造和金属栅极CMP技术等关键技术的研发与专利布局，同时防范专利侵权风险，并关注其他相关技术的提升，以实现中国28nm制程技术的新突破和全球市场竞争力的提升。
最后插入两个小故事,第一、是某位大佬说HKMG工艺是英特尔把全世界带到坑里,走了很多歪路,原因据说这个HK是铝。 第二,从上面的细节各位也可以看到,哪怕同一个公司,同一个工艺平台,不同版本的工艺,设计规则也是不同的。也就是说,如果今天有个芯片设计公司想要换掉原来的流片工艺,这等于后端设计和仿真工作几乎全部...