从目前的发展来看,各公司的28nm制程HKMG工艺2011年陆续实现量产后,主体工艺流程和技术路线已经定型,改进的空间有限。 而Al栅极的CMP是由于HKMG工艺引进金属栅极材料而新增的工艺步骤,一方面发展时间较短,技术尚未完全成熟,一方面相对独立,不会对主体工艺流程和技术路线产生影响。因此既存在改进的空间,又有改进的需求,是未...
28nm HKMG 32位X1核因其高性能、低功耗和灵活性的特点,在多个领域都有广泛的应用。在智能手机、平板电脑等移动设备中,X1核能够提供流畅的用户体验和出色的续航能力。在物联网(IoT)领域,其小巧灵活的设计使得它能够轻松集成到各种智能设备中,实现智能化的数据处理和控制功能。 随着技术的不断进步和市场需求的变化,2...
28nm HKMG结构是指采用金属栅极(Metal Gate)+高介电常数绝缘层(High-k)的栅结构。 HKMG工艺在半导体业界分为两大阵营:以IBM为代表的先栅极(Gate first)工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成之前便生成金属栅极;以Intel为代表的后栅极工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子...
知名分析机构Omdia在2020年曾撰写报告直言,28nm会是一个长寿的节点,具体原因如下所示。 Omdia指出,28nm工艺介于32nm和22nm之间,在45nm(HKMG)和32nm节点,业界引入了high-k/metal gate工艺,为28nm的逐步成熟奠定了基础。2013年是28nm工艺普及之年,2015-2016年,28nm工艺开始规模应用于手机应用处理器和基带。 Omidia分析说...
一、HKMG后栅工艺技术是目前HKMG工艺的主流工艺路线 HKMG工艺在半导体业界分为两大阵营:以IBM为代表的先栅极(Gate first)工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成之前便生成金属栅极;以Intel为代表的后栅极工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成...
最后插入两个小故事,第一、是某位大佬说HKMG工艺是英特尔把全世界带到坑里,走了很多歪路,原因据说这个HK是铝。 第二,从上面的细节各位也可以看到,哪怕同一个公司,同一个工艺平台,不同版本的工艺,设计规则也是不同的。也就是说,如果今天有个芯片设计公司想要换掉原来的流片工艺,这等于后端设计和仿真工作几乎全部...
28nm有两版经典的工艺分别是28HKMG(高K金属栅极)和28Poly(多晶硅氮氧栅极),实际上不仅仅是这2个版本,台积电当年在28nm平台上有延伸出LP,HPM,HPC,HPC+等多个版本,主要是为了针对不同的客户需求,有些客户追求频率和性能,有些客户则追求更低功耗比,因此尽管都是28nm工艺,但是在各个工艺版本略微有区别。
从技术角度看,在IEDM会展期间,高通技术主管P.R. Chidambaram则在一份描述其28nm技术的文件中称,如果某种用于制作HKMG的工艺无法为沟道提供足够的沟道应变力,那么采用这种工艺制造出来的晶体管其性能便无法比采用传统poly/SiON+强效沟道硅应变工艺制作的晶体管高出多少。他表示:”HKMG+强效沟道硅应变工艺的组合可以显著提...
最后插入两个小故事,第一、是某位大佬说HKMG工艺是英特尔把全世界带到坑里,走了很多歪路,原因据说这个HK是铝。 第二,从上面的细节各位也可以看到,哪怕同一个公司,同一个工艺平台,不同版本的工艺,设计规则也是不同的。也就是说,如果今天有个芯片设计公司想要换掉原来的流片工艺,这等于后端设计和仿真工作几乎全部...
从国内方面来看,28nm作为一个关键节点,国内晶圆代工厂也有了一定的量产能力。从公开消息显示,中芯国际在2015年开始进行28nm制程量产,并于2018年宣布完成28nm HKMG的研发。这也是中国大陆首个能够量产28nm工艺的企业。 2018年年底,华虹集团旗下的12英寸晶圆代工厂上海华力与联发科共同宣布:基于上海华力28nm低功耗工艺平台的...