一、HKMG后栅工艺技术是目前HKMG工艺的主流工艺路线 图1 28nm集成电路HKMG工艺技术中国专利申请技术布局 HKMG工艺在半导体业界分为两大阵营:以IBM为代表的先栅极(Gate first)工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成之前便生成金属栅极;以Intel为代表的后栅极工艺技术,其特点是对硅片...
CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——栅极、NMOS SDE、侧壁间隔层形成(续) 81 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——源/漏极SEG 82 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——源/漏极SEG (续) 83 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——后栅HKMG 84 32nm/28nm CMOS...
++28nmHK工艺流程
特征尺寸28nm及更小时,采用栅后工艺,(置换金属栅)。后栅工艺是先制作多晶硅临时栅和栅氧化层,在ILD完成之后刻蚀掉多晶硅临时栅和栅氧化层,由HKMG填充原来多晶硅栅极的位置。工艺对台阶覆盖均匀度要求高,要用原子层淀积ALD淀积高k介质和分别适合pmos与nmos功函数金属。PMOS金属栅采用TiN,(或TaN)NMOS采用TiAlN(或TaAlN...
特征尺寸28nm及更小时,采用栅后工艺,(置换金属栅)。后栅工艺是先制作多晶硅临时栅和栅氧化层,在ILD完成之后刻蚀掉多晶硅临时栅和栅氧化层,由HKMG填充原来多晶硅栅极的位置。工艺对台阶覆盖均匀度要求高,要用原子层淀积ALD淀积高k介质和分别适合pmos与nmos功函数金属。PMOS金属栅采用TiN,(或TaN)NMOS采用TiAlN(或TaAlN...
32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程—— 源/漏极SEG 82 : . 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程—— 源/漏极SEG(续) 83 : . 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程—— 后栅HKMG 84Evaluation 28nmhk工艺流程 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处. ...
28nm量产致胜关键在于HKMG 本文主要讲述了28nm量产致胜关键在于HKMG。HKMG:high-k绝缘层+金属栅极。HKMG的优势:不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺,制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量,而且由于high-k绝缘层的等效氧化物厚度(EOT:equivalentoxide...
除了核心工艺流程，还有浅沟槽（STI）、源漏极构造、衬底的区域划分或功能层构建、Al栅极的CMP等重要技术。综合专利分析和技术实践情况，Al栅极的CMP作为28nm制程HKMG工艺新生技术，具有最大技术发展空间和专利布局空间。无论企业处于量产阶段或研发阶段，都应重视金属栅极CMP技术的研发，以实现中国28nm制程技术...
阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致.但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Etch Back2,即EB2)不稳定,腔体的刻蚀速率与面内分布随着作业时间的增加会出现明显的趋...