一、HKMG后栅工艺技术是目前HKMG工艺的主流工艺路线 图1 28nm集成电路HKMG工艺技术中国专利申请技术布局 HKMG工艺在半导体业界分为两大阵营:以IBM为代表的先栅极(Gate first)工艺技术,其特点是对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火步骤完成之前便生成金属栅极;以Intel为代表的后栅极工艺技术,其特点是对硅片
++28nmHK工艺流程
CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——栅极、NMOS SDE、侧壁间隔层形成(续) 81 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——源/漏极SEG 82 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——源/漏极SEG (续) 83 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程——后栅HKMG 84 32nm/28nm CMOS...
主流工艺路线选择：采用HKMG后栅工艺：后栅极工艺因其生产的芯片功耗更低、漏电更少、性能表现突出且稳定，已成为主流选择。中芯国际、上海华力等企业已采用此技术路线。关键技术突破：金属栅结构制造技术：作为HKMG工艺区别于多晶硅栅工艺的核心特征，金属栅结构制造是最核心的技术。金属栅极的化学机械研磨技术...
特征尺寸28nm及更小时,采用栅后工艺,(置换金属栅)。后栅工艺是先制作多晶硅临时栅和栅氧化层,在ILD完成之后刻蚀掉多晶硅临时栅和栅氧化层,由HKMG填充原来多晶硅栅极的位置。工艺对台阶覆盖均匀度要求高,要用原子层淀积ALD淀积高k介质和分别适合pmos与nmos功函数金属。PMOS金属栅采用TiN,(或TaN)NMOS采用TiAlN(或TaAlN...
32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程—— 源/漏极SEG 82 : . 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程—— 源/漏极SEG(续) 83 : . 32nm/28nm CMOS工艺流程 32nm/28nm CMOS工艺流程—— 后栅HKMG 84Evaluation 28nmhk工艺流程 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处. ...
除了核心工艺流程，还有浅沟槽（STI）、源漏极构造、衬底的区域划分或功能层构建、Al栅极的CMP等重要技术。综合专利分析和技术实践情况，Al栅极的CMP作为28nm制程HKMG工艺新生技术，具有最大技术发展空间和专利布局空间。无论企业处于量产阶段或研发阶段，都应重视金属栅极CMP技术的研发，以实现中国28nm制程技术...
工艺挑战 今年10月,TSMC(台积电)宣布其先进的28nm工艺逐步实现量产,其中包括28nm高性能工艺(28HP)、28nm低功耗工艺(28LP)、28nm高性能低功耗工艺(28HPL)、以及28nm高性能移动运算工艺(28HPM)。在28nm方面,TSMC将同时提供高介电层/金属栅(HKMG,High-k Metal Gate)及氮氧化硅(SiON)两种材料选择,与40nm工艺相较,...
直到2018年，中芯国际才宣布完成28nm HKMG的研发，成为中国内地首个实现28nm工艺量产的企业。相较于40nm工艺，28nm工艺在晶体管密度、性能及功耗方面均取得了显著进步。在相同面积的晶圆上，28nm工艺能容纳更多晶体管，使得处理速度提升50%，同时每次开关的能耗减少了50%。这一技术革新为电子设备带来了更强大且复杂的...