针对一种新的2.5D封装技术,介绍了其中使用 的微凸点(microbump)和硅通孔(through-siliconvias,TSV)等两项关键工艺,并进行了分析。 关键词:硅通孔;堆叠硅互连;微凸点;凸点下金属化层;封装;电沉积 DOI:10.3969/j.issn.1002-2279.2017.02.004 中图分类号:TN911 文献标识码:A 文章编号:1002-2279-(2017)02-...
(micro electromechanical systems, MEMS)加工、集成电路以及微系统封装设计等技术的发展,植入式脑机接口技术正由早期遥控背包式技术向着全植入式无线遥控遥测技术发展。 王鹏 - 浙江大学 被引量: 2发表: 2012年 射频异构集成微系统多层级协同仿真建模与PDK技术综述 作为后摩尔技术的可选路径之一,基于异构集成工艺实现的...
封装 FUSE2 批号 19+ 数量 100000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -40C 最大工作温度 125C 最小电源电压 4V 最大电源电压 8.5V 长度 5.9mm 宽度 7.4mm 高度 2.5mm 可售卖地 全国 型号 FUSE2 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况...
2.5D 封装工艺涉及的步骤,包括光刻、CMP(化学机械平坦化)、蚀刻工艺以及 3D Cu-Cu 混合键合中的 CMP 和键合工艺,对实现更紧密的布线和增加布线密度提出了挑战。
基于量子点的高色纯度、高效率和可调谐的发射波长而制备的QLED显示器件也具有高色域、高亮度和高能效的优异性能,展现出新一代显示器件的巨大潜力,用量子点封装的WLED白光照明器件具有优异的显色指数、可做大面积柔性光源等等优势。 在量子点众多体系中,...
集成电路封装(基础和流程part1-part2){"code":"InvalidRange","message":"Therequestedrangecannotbesatisfied.","requestId":"a10dae5b-70e9-462c-b6b1-1ec7a088e0a3"}
规格 请选择规格 属性 品牌:新滨耀 型号:2EZ系列 封装:2EZ75D5 批号:BYDZ 齐纳电压(Vz):75V 电压容差:5% 最大耗散功率:2W 齐纳阻抗(Zz):标注 正向电压(Vf):75V 工作温度范围:105度 配置类型:稳压管 安装类型:DO-15 应用领域:电工电气 评价 0.0 ...
封装: SOP8 批号: 22+ 数量: 12650 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -30C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 5V 最大电源电压: 6V 长度: 1.8mm 宽度: 8.4mm 高度: 1.4mm EC180309-25D5-19E7 轻触开关 EC 封装SOP8 批次22+ 单键换段芯片 价格说明 ...
封装 SOP8-150MIL 批号 2104+ 数量 12000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 90C 最小电源电压 2V 最大电源电压 8.5V 长度 2.2mm 宽度 6.6mm 高度 1.8mm 可售卖地 全国 型号 TH25D-40HB-MSCI 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因...
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